[发明专利]增强界面热电冷却器无效
| 申请号： | 01819960.7 | 申请日： | 2001-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1478308A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 乌塔姆·S·高莎尔;史蒂文·科德斯;戴维·迪米利亚;詹姆斯·多伊尔;詹姆斯·斯佩德尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L35/04 | 分类号： | H01L35/04;H01L35/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种提高冷却效率的具有增强结构化界面的热电器件。在一个实施例中，该热电器件包括包含p型热电材料的超晶格的第一热元件和包含n型热电材料的超晶格的第二热元件。第一热元件和第二热元件彼此电耦接。第一热元件的平坦表面贴近位于一组离散点的第一导电尖端阵列(不一定与之物理接触)，从而促进第一热元件的平坦表面和第一导电尖端阵列之间的电传导，同时降低这两者之间的热导率。第二热元件的平坦表面贴近位于一组离散点的第二导电尖端阵列(不一定与之物理接触)，从而促进导电尖端和第二热元件的平坦表面间的电传导，同时降低这两者之间的热导率。利用和距离尖端最近一层的超晶格的材料具有相同塞贝克系数的材料涂覆导电尖端。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 界面 热电 冷却器 | ||
【主权项】：
1、一种热电器件，包括：第一热元件；与第一热元件电耦接的第二热元件；由覆盖以金属层的半导体基体形成的，并且在第一组离散点位于第一热元件附近的若干第一尖端；和由覆盖以金属层的半导体基体形成的，并且在第二组离散点位于第二热元件附近的若干第二尖端。
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