[发明专利]晶片光刻法中显影工艺的改进方法有效
| 申请号： | 01813412.2 | 申请日： | 2001-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1444740A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朴在贤;方仲右 | 申请（专利权）人： | 硅谷集团公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了对液体聚合物及其它材料的产率和线宽性能进行改进的方法和装置。通过降低pH的突然变化而减少显影反应试剂的沉淀的方法包括：开始加入显影剂流体使基底上至少一部分聚合物层显影；然后用另外加入的显影剂流体漂洗所述聚合物，控制性地使随后pH的突然变化最小化；然后用加入的另一种流体漂洗所述聚合物。本发明还描述了一种从在晶片表面上加入显影剂化学物质至将其除去的均匀的准平衡的连续状态的方法。该方法能够减少工艺造成的缺陷，并且能够改进临界尺寸(CD)控制。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 光刻 显影 工艺 改进 方法 | ||
【主权项】：
1、一种为了减少晶片图案缺陷而将显影工艺排序的方法，其包括：在分配显影剂流体之前将基本上是惰性的材料分配在晶片表面上。
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