[发明专利]制造等离子体显示板的方法和等离子体显示板无效
申请号: | 01805396.3 | 申请日: | 2001-02-21 |
公开(公告)号: | CN1582484A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 |
发明(设计)人: | 青木正树;大谷光弘;日比野纯一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02;H01J11/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈景岭;梁永 |
地址: | 日本大阪府门*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种用于制造具有减少面板变黄的高亮度和高图像质量的等离子体显示板(PDP)和通过该方法获得的PDP。用于形成PDP中的电极的方法包括用于在玻璃基片上形成含有金属氧化物的基底层的基底层形成步骤,用于在将要形成金属层的基底层的区域上淀积钯的沉淀促进步骤,和在该区域上形成金属层的步骤。包含在基底层中的金属氧化物优选由选自氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化钛、氧化镨和氧化硅中的一种或多种金属氧化物制成。 | ||
搜索关键词: | 制造 等离子体 显示 方法 | ||
【主权项】:
1、一种等离子体显示板的制造方法,包括:用于在第一基片表面上形成多个第一电极的第一电极形成步骤,用于在第二基片表面上形成多个第二电极的第二电极形成步骤,和用于对准第一和第二基片以便互相面对的基片对准步骤,其中,第一电极形成步骤和第二电极形成步骤中的至少一个包括下列子步骤:用于在基片表面上形成基底层的基底层形成子步骤;用于进行促进金属材料在将要形成金属层的基底层中的区域中的沉淀反应的工序的沉淀促进子步骤;和在沉淀促进步骤中的工序期间或之后,通过化学镀敷法在所述区域中形成金属层的金属层形成子步骤,其中基底层和金属层构成电极。
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