[实用新型]对电荷超敏感的库仑计无效
| 申请号： | 01201857.0 | 申请日： | 2001-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN2462399Y | 公开（公告）日： | 2001-11-28 |
| 发明（设计）人： | 王太宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01R29/24 | 分类号： | G01R29/24 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型属于微电子器件和纳米器件,特别是涉及一种对电荷超敏感的库仑计。在衬底上的导电材料层中有源极1和漏极2;在导电材料层的源极和漏极处有槽8和槽9,槽8和槽9之间的台面形成连接源极和漏极的一维波导,其宽度为3—800纳米;在一维波导上沉积有隧穿势垒线条栅5、6和探头线条栅,隧穿势垒线条栅5和6之间的一维波导为量子点3,在一维波导的量子点处有边线条栅。可用于探测万分之一的电子电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 敏感 库仑计 | ||
【主权项】：
1．一种对电荷超敏感的库仑计，其特征在于：在衬底(12)上的导电材料层(11)中有源极(1)和漏极(2)；在导电材料层(11)的源极(1)和漏极(2)处有槽(8)和槽(9)，槽(8)和槽(9)之间的台面形成连接源极(1)和漏极(2)的一维波导(10)；在一维波导(10)上沉积有隧穿势垒线条栅(5)、(6)和探头线条栅(7)，隧穿势垒线条栅(5)和(6)之间的一维波导为量子点(3)，在一维波导的量子点(3)处有边线条栅(4)。
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