[发明专利]用于SONET的带内FEC校正子计算无效
| 申请号： | 01143828.2 | 申请日： | 2001-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1359202A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 迈克·雷;克拉拉·巴龙塞利 | 申请（专利权）人： | 美国阿尔卡塔尔资源有限合伙公司 |
| 主分类号： | H04B10/12 | 分类号： | H04B10/12;H03M13/03 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实现了带内FEC校正子生成器的技术优势,而且计算电路与SONET和SDH标准兼容。使用3个校正子生成器生成3个包含多项式的校正子。每个校正子生成器包括2个线性反馈移位寄存器(LFSR)。每个LFSR同时工作于4位并行模式和1位串行39位模式。这两个LFSR协同工作以允许数据连续移入而且生成校正子。第一FLSR移入信息位,而且在每个消息的结束,在信息位移入后,第一FLSR将其内容转储到第二LFSR。一旦移入校验位,第二LFSR的内容即包含该校正子。接着,这些校验位每次移出4位。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sonet fec 校正 计算 | ||
【主权项】：
1.一种校正子计算模块，包括：多个校正子生成器，生成多个校正子，每个所述校正子生成器包括一个第一线性反馈移位寄存器(LFSR)。
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