[发明专利]一种双绝缘层薄膜场发射阴极无效
| 申请号： | 01140446.9 | 申请日： | 2001-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1352462A | 公开（公告）日： | 2002-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李德杰;万媛;卜东生;王红光 | 申请（专利权）人： | 清华大学;上海广电电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双绝缘层薄膜场发射阴极,属于真空电子发射型平板显示器件技术领域,特别涉及一种薄膜场发射阴极。本发明包含玻璃基板、下电极层、绝缘层和上电极层,其中绝缘层是由上下两层绝缘薄膜构成。通常,下绝缘层是非结晶绝缘薄膜,上绝缘层是结晶绝缘薄膜。下电极层可以由双层金属薄膜构成,也可以由金属和半导体双层薄膜构成;上电极层可以由双层金属薄膜构成,也可以由金属和半导体双层薄膜构成。本发明的薄膜场发射阴极解决了现有技术中发射电流小的问题,电子发射率大于0.5%,满足了高亮度场发射平板显示器件的使用要求,同时,器件电容较低,器件中非晶薄膜耐压较高,寿命长,达到实用水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 薄膜 发射 阴极 | ||
【主权项】：
1、一种双绝缘层薄膜场发射阴极，包含玻璃基板、下电极层、绝缘层和上电极层，其特征在于所说的绝缘层是由上下两层绝缘薄膜构成。
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