[发明专利]压电元件和液体排放记录头的结构、及其制造方法有效
| 申请号： | 01124891.2 | 申请日： | 2001-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1338377A | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 和佐清孝;海野章;福井哲朗;松田坚义 | 申请（专利权）人： | 和佐清孝;佳能株式会社 |
| 主分类号： | B41J2/14 | 分类号： | B41J2/14;B41J2/16;H01L41/083;H01L41/187 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种压电元件结构,包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电腊,其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层,每一层具有钙钛矿结构,并且彼此接触形成或通过中间层层压,薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜,为了形成薄膜,以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比,如此形成的压电膜厚度小,而且表现出很大的压电常数,从而能够可靠地执行其有效微处理。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 元件 液体 排放 记录 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电元件结构，包括：一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电膜，其中所述压电膜包含第一层、和具有锆的第二层，每一层具有钙钛矿结构，并且彼此接触形成或通过中间层层压，薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜，为了形成薄膜，以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。
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