[发明专利]感应电流位置传感器相关申请的相互参考无效
| 申请号： | 01124326.0 | 申请日： | 2001-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1334437A | 公开（公告）日： | 2002-02-06 |
| 发明（设计）人： | 宫田俊治;冈本雅美 | 申请（专利权）人： | 株式会社三丰 |
| 主分类号： | G01B7/00 | 分类号： | G01B7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种感应电流位置传感器,其相对于距离变量有提高的信号强度和寿命。这能通过防止磁通量有害扩散以减少磁通泄露引起的损失、以及在磁场发生器和磁通量传感器之间形成有效的闭合磁路来实现。一种高渗透物质(33)设置在读头(220)上的第一元件以及标尺(210)的目标磁路上。这种设置能抑制传统线圈结构因磁通量扩散而导致的磁通泄露引起的损失,提高了磁通量的信号强度,减少了来自外部磁场的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 感应电流 位置 传感器 相关 申请 相互 参考 | ||
【主权项】：
1.一种感应电流位置传感器(200)，其包括：相对设置并沿测量轴线(114)相对移动的第一元件(220)和第二元件(210)，且第一元件和第二元件每一个都有与所述测量轴线正交的第一和第二磁通量区；一个磁场发生器(222)，用于响应一个驱动信号在所述第一磁通量区产生第一可变磁场；一个耦合线圈(212、216)，包括位于所述第一磁通量区域的第一区(213、217)，以及位于所述第二磁通量区域的第二区(214、218)，其中第一区(213、217)响应所述第一可变磁通量产生感应电流，第二区(214、218)响应所述感应电流产生第二可变磁通量；以及一个磁通量传感器(224、226)位于所述第二磁通量区域，以传感所述第二可变磁通量，其中，所述磁场发生器(222)、所述耦合线圈(212、216)以及所述磁通量传感器(224、226)三者之一位于所述第一元件(220)和第二元件(210)之一上，所述三者中剩余的两个位于所述第一元件(220)和第二元件(210)中另一个上，其特征在于：一种高渗透性物质(33、35)设置在所述第一元件(220)、所述第二元件(210)以及所述第一元件(220)和第二元件(210)之间的缝隙的至少一部分上，以形成磁路，以便使磁通量渗透所述磁场发生器(222)、所述耦合线圈(212、216)以及所述磁通量传感器(224、226)中至少一个。
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