[发明专利]多层瓷介片状电容器无效

专利信息
申请号: 01123098.3 申请日: 1995-10-17
公开(公告)号: CN1357898A 公开(公告)日: 2002-07-10
发明(设计)人: 佐藤阳;川野直树;野村武史;中野幸惠;岚友宏;山松纯子 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/008;H01G4/30
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种多层瓷介片状电容器,满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小,绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能,并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中,介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种及SiO2。在第二种形式中,介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
搜索关键词: 多层 片状 电容器
【主权项】:
1.一种多层瓷介片状电容器,该电容器有一个包含交替叠合的介电层和内电极层的电容器片体,其中所述介电层包含作为主要组分的钛酸钡和作为次要组分的氧化镁、氧化钇、从氧化钡和氧化钙中至少选一种、氧化硅、氧化锰、以及从氧化钒和氧化钼中至少选一种,按这样一种比例,即每100mol的BaTiO3中有i:0.1至3molY2O3:大于0mol并且小于等于5molBaO+CaO:2至12molSiO2:2至12molMnO:大于0mol并且小于等于0.5molV2O5:0至0.3molMoO3:0至0.3molV2O5+MnO3:大于0mol其中假定钛酸钡、氧化镁、氧化钇、氧化钡、氧化钙、氧化硅、氧化锰、氧化钒和氧化钼分别按BaTiO3、MgO、Y2O3、BaO、CaO、SiO2、MnO、V2O5和MoO3计算。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01123098.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top