[发明专利]磁随机存取存储器件的参考信号的产生无效
| 申请号： | 01121930.0 | 申请日： | 2001-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1337709A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰;K·J·埃尔德雷奇 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁随机存取存储器(“MRAM”)器件(100)包括存储器单元(104)的阵列(102)。尽管由于制造公差和诸如阵列中的温度梯度、电磁干扰和老化之类的其他因素造成电阻的变化,但器件(100)仍然产生能够用来判断阵列中每个存储器单元的电阻态的参考信号。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 参考 信号 产生 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件(100)，包含：存储器单元(104)组成的块(102)；用来存储逻辑‘1’的第一存储器件(110)；用来存储逻辑‘0’的第二存储器件(112)；读出放大器(120)；以及用来产生读出放大器的参考信号(Vref)的电路(126)，此电路借助于组合第一和第二存储器件的输出而产生参考信号。
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