[发明专利]一种MgB2超导材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 01120452.4 申请日: 2001-07-16
公开(公告)号: CN1150634C 公开(公告)日: 2004-05-19
发明(设计)人: 冯勇;付宝全;赵勇;刘奉生;刘向宏;纪平;张平祥;周廉;刘春芳;杜社军;阎果;吴晓祖 申请(专利权)人: 西北有色金属研究院
主分类号: H01L39/12 分类号: H01L39/12;H01L39/24;H01B12/00;C04B35/00
代理公司: 中国有色金属工业专利中心 代理人: 李迎春;王连发
地址: 71001*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种MgB2超导材料及其制备方法,涉及一种具有高临界电流密度的新型MgB2超导材料及其制备方法。其特征在于在MgB2超导材料中掺杂有选自Ti、Zr、Mo、Nb、W或Hf中的一种金属元素Me,其组成的摩尔比Mg∶Me∶B=(0.8-0.9)∶(0.1-0.2)∶2。制备方法是将Mg粉、Me粉和B材料成份比例混合均匀,在常压氩气气氛中进行烧结。本发明的MgB2超导材料在10K以上的温度,具有高临界电流密度,而且磁场下的性能也非常优异,使得MgB2超导体走向实用化成为可能。
搜索关键词: 一种 mgb sub 超导 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种MgB2超导材料,其特征在于在MgB2超导材料中掺杂有选自Ti、Zr、Mo中的一种金属元素Me,其组成的摩尔比在掺杂Ti时为Mg∶Ti∶B=(0.85-0.9)∶(0.1-0.15)∶2、掺杂Zr时为Mg∶Zr∶B=0.9∶0.1∶2、掺杂Mo时为Mg∶Mo∶B=0.9∶0.1∶2。
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