[发明专利]一种集成解复用光接收器件及制备方法无效
| 申请号： | 01120077.4 | 申请日： | 2001-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1140972C | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 任晓敏;黄永清;黄辉 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H04J14/02 | 分类号： | H04J14/02;H01L27/14;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光;张占榜 |
| 地址： | 100876*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电子器件，特别涉及一种具有非平行腔结构的集成解复用光电子器件及制备方法。本发明其特征在于在需要形成楔型结构的外延层表面形成引导层以及掩膜层，在需要形成的楔型结构顶端的位置除去掩膜层，然后置于腐蚀液中，引导层的腐蚀速率较快，引导层在侧向腐蚀的同时，逐渐露出相邻的腐蚀速率较慢的外延层，在相邻的外延层上就腐蚀出楔型结构，使得腔之间形成一个θ角，其中0°＜θ＜90°。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 用光 接收 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成解复用光接收器件制备方法，其特征在于，在外延层表面形成引导层以及掩膜层，在需要形成的楔形结构的引导层顶端位置除去掩膜层，然后置于腐蚀液中，引导层的腐蚀速率较快，引导层在侧向腐蚀的同时，逐渐露出相邻的腐蚀速率较慢的外延层，在相邻的外延层上就腐蚀出楔形结构。
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