[发明专利]多层陶瓷片状电容器及其制备方法无效
| 申请号： | 01117893.0 | 申请日： | 2001-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1320937A | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | 增宫薰里;增田健;野村武史;中野幸惠;佐藤阳 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/12;H01G13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备多层陶瓷片状电容器的方法,该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体,该方法包括使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层,在X－射线衍射图形中,该粉末组分的(200)面的衍射线的峰强度(I(200))相对于(002)面的衍射线的峰点的角与(200)面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度(Ib)的比值(I(200)/(Ib))为4－16。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 片状 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制备多层陶瓷片状电容器的方法，该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体，该方法包括：使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层，在X-射线衍射图形中，该粉末组分的(200)面的衍射线的峰强度I(200)相对于(002)面的衍射线的峰点的角与(200)面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度Ib的比值I(200)/Ib为4-16。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01117893.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：金属管压纹用的设备
- 下一篇：语音识别装置、语音识别方法和记录介质
