[发明专利]电子照相光电导体无效
| 申请号： | 01111217.4 | 申请日： | 2001-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1312491A | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | 竹嶋基浩;锅田修 | 申请（专利权）人： | 富士电机影像器材有限公司 |
| 主分类号： | G03G5/047 | 分类号： | G03G5/047 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子照相光电导体,在带电并光线辐照以后,它表现出低的残留电位,有助于形成高质量图象。它包括导电基片和在基片上的光敏层,光敏层包括式(Ⅰ)化合物。其中,R1和R2各自选自任选地具有取代基的芳族烃基、任选地具有取代基的脂族烃基、用式(Ⅰa)表示的多环芳环和用式(Ⅰa)表示的杂环基团,式(Ⅰa)中Y表示用于形成多环芳环或杂环的残基,所述取代基选自羟基、氰基、硝基和卤原子,式(Ⅰ)中X选自单键、O、CO或COO。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 照相 光电 导体 | ||
【主权项】：
1．一种电子照相光电导体，它包括：导电基片；和在该导电基片上的光敏层，所述光敏层包括下式(Ⅰ)表示的化合物：其中，各个R1和R2各自选自任选地具有取代基的芳族烃基、任选地具有取代基的脂族烃基、用式(Ⅰa)表示的多环芳环、和用式(Ⅰa)表示的杂环基团，式(Ⅰa)中Y表示用于形成多环芳环或杂环的残基，所述取代基选自羟基、氰基、硝基和卤原子，式(Ⅰ)中X选自单键、O、CO或COO，
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