[发明专利]磁电阻效应装置、磁头、磁记录设备和存储装置无效
| 申请号： | 01109991.7 | 申请日： | 2001-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1359099A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 榊间博;川分康博;杉田康成 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/39 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁电阻效应装置,包括一自由层,其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转;一非磁性层;和一被钉扎层,其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转,该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上,其中该被钉扎层包括一用于交换耦合的第一非磁性膜;和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜,该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 效应 装置 磁头 记录 设备 存储 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻效应装置，包括：一自由层，其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转；一非磁性层；和一被钉扎层，其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转，该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上，其中被钉扎层包括：一用于交换耦合的第一非磁性膜；和通过第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜，和第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。
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