[发明专利]调节晶片抛光垫的方法无效
| 申请号： | 00806470.9 | 申请日： | 2000-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1349446A | 公开（公告）日： | 2002-05-15 |
| 发明（设计）人： | 戴维·张;拉尔夫·V·弗格尔格桑;亨利·F·埃克 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B53/007;B24B57/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王景林 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种调节供抛光机使用的抛光垫的方法。该方法包括将待调节的抛光垫安装在抛光机的板(12)上并将一调节负载力加到垫(20)上。此外,该方法包括将浆状研磨剂以一调节的流速(22)供给到垫上。调节的负载力大于在一常用晶片抛光循环中所加的抛光负载力,以便压缩垫,并且调节的流速大于晶片抛光循环中以其供给浆状研磨剂的抛光流速,以便用研磨剂装入衬垫的各孔。方法还包括操纵抛光机一个调节循环,同时加调节负载力(20)和以调节流速(22)供给浆状研磨剂的步骤。照这样,调节抛光垫供抛光机使用,用于随后用调节好的垫抛光半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种供抛光机使用的抛光垫的调节方法，上述抛光机具有适合于安放抛光垫的压板，并可操作用于一个晶片抛光循环，以便用抛光垫抛光半导体晶片，上述方法包括以下步骤：将待抛光的抛光垫安装在抛光机的压板上，上述抛光垫限定一个抛光表面；将一调节负载力加到抛光表面上，上述调节负载力大于在抛光机的晶片抛光循环中加到抛光表面上的抛光负载力；将含有磨粒的浆状研磨剂以调节的流速供给到抛光表面上，上述调节流速大于抛光机晶片抛光循环中浆状研磨剂供给到抛光表面上的抛光流速；和开动抛光机一个调节循环，同时加调节负载力并以调节的流速将浆状研磨剂供给到抛光机上，因而调节供抛光机使用的抛光垫，用于随后用调节好的抛光垫抛光半导体晶片。
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