[发明专利]发生氢用硫化镉系光触媒的制造方法及用其制造氢的方法

摘要

氢发生用CdS系光触媒的制造方法以及在CdS存在下氢的制造方法。将含Cd和M的化合物溶解在水中，使M值达到0.001～20.00后，向其中加入H2S或Na2S任何一种反应物，搅拌得到Cd[M]S沉淀物，此沉淀物用水洗涤干净，在氮(气流)气氛下和105～150～温度槽中将洗净的沉淀物真空干燥1.5～3.0小时后，向此干燥的Cd[M]S沉淀物中添加液相含m化合物进行掺杂处理，使全体光触媒中m含量达到0.10～5.00重量％，制造具有下述式I的光触媒。m(a)/Cd[M(b)]S(I)(上述通式中m表示作为电子接收体而掺杂的金属，是从Ni、Pd、Pt、Fe、Ru、Co或其氧化物中选出的一种以上物质；a表示m的重量％，其值为0.10～5.00。M是从V、Cr、Al、P、As、Sb、Pb中选出的助催化剂，b表示M/(M+Cd)的摩尔％，其值为0.001～20.00。)使上述光触媒，与加入0.05～1.0摩尔亚硫酸钠还原剂和0.05～1.0摩尔硫化钠电子给与体的水接触将其悬浮，边搅拌边照射经滤光片调整的可见光区域的光线和太阳光照射使之反应，发生氢。

主权项

1.一种下述式VI所示硫化镉系光触媒的制造方法，其特征在于包括以下工序：将含有Cd和M的化合物溶解在水中，使M的摩尔％为0.001～20.00；向其中加入H2S或Na2S作为反应物，搅拌以得到Cd[M]S沉淀物；沉淀物用水洗涤干净，在氮气氛下于105-150℃将洗净的沉淀物真空干燥1.5-3.0小时；向此经干燥的Cd[M]S沉淀物中添加液相含m化合物进行掺杂处理，使全体光触媒中的m含量达到0.10～5.00重量％，所说的掺杂处理方法包括紫外线照射或酸处理和超声波处理后的烧结工序，m(a)/Cd[M(b)]SVI上述通式中m表示作为电子接收体掺杂的金属，是从Fe或Fe氧化物中选出的物质；a表示m的重量％，其值为0.10～5.00；M是从As、Sb和Pb中选出的助催化剂；b表示M/(M+Cd)的摩尔％，其值为0.001～20.00。