[实用新型]记忆卡结合改进结构无效
| 申请号： | 00249231.8 | 申请日： | 2000-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN2447867Y | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | 张春荣 | 申请（专利权）人： | 张春荣 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 上海市华润律师事务所 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型是一记忆卡结合改进结构，其至少包括一上盖、一边框及一下盖等所组成其中，上盖于适当位置，设多个接合凸缘及钩合槽；边框于与接合凸缘相对位置设多个接合槽孔；下盖与钩合槽相对位置设有多个扣钩；组合时，上盖的接合凸缘插入边框的接合槽孔中，下盖以扣钩钩合于上盖的钩合槽处，使记忆卡整体外壳的结合紧密、组装方便迅速，且整体以金属作交叠式的结合，有效防止EMI漏出而造成干扰，且可配合设计需要作适当延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 结合 改进 结构 | ||
【主权项】：
1、一种记忆卡结合改进结构，其特征在于：其至少包括：一上盖(1)、一边框(2)及一下盖(3)等所组成，其中，上盖于适当位置，设有多个接合凸缘(11)及钩合槽(12)；边框于与接合凸缘相对应位置设有多个接合槽孔(21)；下盖与钩合槽相对应位置设有多个扣钩(31)；当组合时，接合凸缘嵌入接合槽孔中，使上盖与边框相结合，扣钩钩合于钩合槽，使下盖与上盖结合，形成整体稳固的结合，且周边为交叠设置有效防止EMI漏出而造成干扰的结构。
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