[发明专利]近场双光子存储的信息记录、擦除和读取的方法无效

专利信息
申请号: 00135438.8 申请日: 2000-12-20
公开(公告)号: CN1155948C 公开(公告)日: 2004-06-30
发明(设计)人: 明海;鲁拥华;梁忠诚;章江英;王超;王沛;孙晓红;焦小瑾;吴云霞;谢建平;许立新 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G11B7/004 分类号: G11B7/004;G11B7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230026*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于光学信息存储技术。它通过在一种低阈值的双光子存储介质偶氮液晶聚合物上使用固体浸没透镜对数据信息进行记录、擦除和读取,将近场存储和双光子存储两方面的原理和优点相结合,从而提出了一种全新的近场双光子存储方法。它能得到远小于瑞利极限的信息位,目前最小已做到120nm;光源可使用小型化的激光器,使其实际应用易于实现。
搜索关键词: 近场 光子 存储 信息 记录 擦除 读取 方法
【主权项】:
1.一种近场双光子存储的信息记录方法,将激光器产生的光波对存储介质进行照射,其特征在于具体过程为:将采用偶氮液晶聚合物作为存储介质而制作的存储盘片(1)置于工作平台上,将作为记录光源的激光器(6)所产生的光波通过透射镜(5)、起偏振片(11)、会聚透镜(3)和固体浸没透镜(2)所组成的光路对存储盘片上的偶氮液晶聚合物薄膜进行照射、使光波聚焦于薄膜上,通过工作平台的移动调整薄膜的位置;记录光波的偏振方向固定不动;所述的存储盘片制作成双向透光结构,其自上而下的基本层次结构为:电介质薄膜(12)/存储介质薄膜(13)/电介质薄膜/基片(14);所述的偶氮液晶聚合物为聚甲基丙烯酸(对-氰基偶氮苯氧基)乙基酯。
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