[发明专利]用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构及其制备方法无效
申请号: | 00105555.0 | 申请日: | 2000-03-31 |
公开(公告)号: | CN1119917C | 公开(公告)日: | 2003-08-27 |
发明(设计)人: | 任天令;张林涛;李志坚;刘理天 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H04R7/04 | 分类号: | H04R7/04 |
代理公司: | 北京清亦华专利事务所 | 代理人: | 罗文群 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构及其制备方法,首先在单晶硅衬底淀积一层氮化硅,硅衬底背面腐蚀,形成背腔,在氮化硅上淀积一层二氧化硅,射频磁控溅射金属Pt/Ti层,再光刻金属Pt/Ti层,以形成底层电极;用溶胶-凝胶法在Pt/Ti层上制备PZT铁电薄膜,在PZT铁电薄膜上制备顶层电极,去除其中一侧,即为本发明的悬臂式振膜结构。采用本发明制备的悬臂式振膜结构,集成微麦克风和扬声器,其灵敏度和声输出有了明显提高。 | ||
搜索关键词: | 用于 麦克风 扬声器 悬臂 膜结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构的制备方法,其特征在于,该方法包括以下各步骤:(1)在单晶硅衬底上低压化学气相淀积一层氮化硅,气相淀积的条件为温度830℃,压强90Pa,反应气体为SiH4与NH3,其体积之比为8~5∶1,使氮化硅层厚度为0.5~2μm;(2)硅衬底背面腐蚀,形成背腔,腐蚀液为浓度50%的KOH溶液,反应温度50℃,腐蚀速率约为1μm/min(3)在氮化硅上淀积一层厚度为3000~5000的二氧化硅,反应气体为SiH4和O2,两种气体的体积之比为1∶2~3,淀积温度500℃;(4)射频磁控溅射金属Pt/Ti层,其中Pt层厚度为500~1000,Ti层厚度为50~100,溅射频率13.56MHz,溅射温度120℃,再光刻金属Pt/Ti层,以形成底层电极,去除边缘部分,使其与二氧化硅层成阶梯状;(5)用溶胶-凝胶法在Pt/Ti层上制备PZT铁电薄膜,PZT(Pbx(ZryTi1-y)O3)的组分中:x=0.9~1.1,y=0.4~0.6,每次旋涂之后得到的湿膜经过380℃和800℃的预热处理去除有机溶剂,最后将PZT薄膜置于900℃的环境中退火处理30分钟,得到PZT铁电薄膜的厚度为0.5-2μm;(6)在上述PZT铁电薄膜上制备顶层电极:首先旋涂一层正胶,根据顶层电极位置有选择地进行光刻,再在其上射频磁控溅射金属Pt/Ti层,溅射频率13.56MHz,溅射温度46℃,其中Pt层厚度范围为500~1000,Ti层厚度范围为50~100,再在室温下用丙酮浸泡10分钟,有胶部分金属Pt/Ti层发皱剥落,即形成Pt/Ti顶层电极;(7)从正面的M点往下刻蚀各层薄膜,去除其中一侧,保留的另一侧形成悬臂振膜结构,使悬臂结构的长度为1000~2000μm,并去除PZT层的端部,使其与顶层电极的长度相等,并与底层电极成阶梯状,即为本发明的用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构。
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