[发明专利]从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法无效
申请号: | 00103907.5 | 申请日: | 2000-02-29 |
公开(公告)号: | CN1311343A | 公开(公告)日: | 2001-09-05 |
发明(设计)人: | 元金山;张富文;李向文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | C22B58/00 | 分类号: | C22B58/00 |
代理公司: | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属于液相外延制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电子材料领域,涉及一种对从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法的改进。在废镓中加入浮游剂去除废镓中的铝杂质;利用高温高真空去除废镓中的Zn、As、Te等蒸气压高的杂质。用本发明回收高纯金属镓的杂质含量小于3μg/g,用其生产的外延片的基本参数与采用日本进口高纯镓一致。对液相外延后的废液回收和再利用大幅度降低LED成本,是保证GaAlAsLED实现国产化的关键技术。 | ||
搜索关键词: | 外延 废液 回收 高纯 金属 工艺 方法 | ||
【主权项】:
1、一种从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法,其特征在于:首先将适量的高纯去离子水加入废镓液中并加热至100℃;用搅拌器不停地搅拌,用吸浮法去除漂浮在水表面的浮游物质;经多次反复去除废镓液中的铝Al;再去除锌Zn、碲Te、砷As高蒸气压杂质:在900℃-1200℃高温高真空状态下,使废镓液表面的锌Zn、碲Te、砷As原子向空间挥发,在废镓液下部使锌Zn、碲Te、砷As原子不断向上扩散到废镓液的表面并挥发到空间,从而提取高纯金属镓。
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