专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种利用无线光通信加速光突发交换资源预约的网络技术-CN200610020684.7有效
  • 蔡然 - 蔡然
  • 2006-04-11 - 2006-10-25 - H04Q11/00
  • 本发明提供了光纤与同品质、同源无线激光通信集成光突发交换网络的预约域技术。预约域围绕切线法设计构建;偏置时间由偏置时间子模块运行预约域偏置时间设定方法设置;无线激光信号BHP由边缘节点接口发送入无线激光通信边缘链路,再由无线光核心节点接收、处理,经无线激光通信核心链路组播至边缘Burst路由处理的核心节点接口,通过核心节点处理BHP,邻接核心节点间交换端口信息等操作快速建立连接,依托空分模块化结构的无线光网元匹配光纤网元,良好的链路生存性,快速无线激光通信网络集成智能群发控制等技术,高质量地加速了预约域预约资源操作,使得比之于纯光纤光突发交换网络,预约域所需偏置时间、BHP占用资源时间大大减少,提升了网络处理能力。
  • 一种利用无线光通信加速突发交换资源预约网络技术
  • [发明专利]一种无应答前转的控制方法及其装置-CN200510102397.6有效
  • 马丙丙 - 华为技术有限公司
  • 2005-12-08 - 2006-10-25 - H04M3/54
  • 一种无应答前转的控制方法及其控制装置,属于无线通信领域。为了解决现有技术中由于始发MSC率先超时而导致无法触发无应答前转的缺点,本发明提出了一种无应答前转的控制方法,该方法通过始发移动交换中心、位置归属寄存器、当前服务移动交换中心和边界移动交换中心之间的请求和响应消息进行参数传递以建立呼叫,并在所述参数传递过程中设置始发移动交换中心的呼叫应答等待时间大于边界移动交换中心的无应答时间。本发明还提供了一种无应答前转的控制装置,包括呼叫发起模块,参数传递模块和无应答前转触发模块。本发明用于系统间早寻呼过程中无应答前转的控制。
  • 一种应答控制方法及其装置
  • [发明专利]一种微量元素添加剂碱式氯化锌的制备方法-CN200610031714.4有效
  • 黄逸强 - 黄逸强
  • 2006-05-25 - 2006-10-25 - C01G9/04
  • 一种微量元素添加剂碱式氯化锌的制备方法,1)氧化锌与盐酸以摩尔比为5∶2,先将一定量的盐酸在5~10倍的反应水中稀释,再将氧化锌投入,在温度55~95℃下,控制pH值6~8,常压条件下反应1~3小时,生成碱式氯化锌(锌含量为57.5~60.5%),离心分离后的反应液又可作为母液在下次反应中循环使用;其反应如下:2HCl+5ZnO+4H2O=Zn5Cl2 (OH)8·H2O 2)水洗、离心分离;3)烘干、粉碎、包装成成品。本发明具有工艺简单、成本低、收率高、成品品质好、无杂质、无废液排放环境污染少、能达到更高卫生标准等优点。
  • 一种微量元素添加剂氯化锌制备方法
  • [发明专利]一种上行接入方法及装置-CN200510116682.3有效
  • 杨长东 - 华为技术有限公司
  • 2005-10-27 - 2006-10-25 - H04Q7/28
  • 本发明公开了一种上行接入方法,该方法在终端设备发起上行接入请求出现碰撞后,产生根据用户优先级确定的重发随机间隔时间,并且高优先级用户的重发随机间隔时间小于低优先级用户的重发随机间隔时间;以及终端设备在延迟所述重发随机间隔时间后重新发送上行接入请求。本发明还公开了一种终端设备,包括:用于发送上行接入请求的发送单元;用于在所述发送单元发送的上行接入请求出现碰撞后,产生用于控制所述发送单元重新发送上行接入请求的重发随机间隔时间的间隔时间产生单元。本发明根据用户优先级控制用户的二次接入时间,避免低优先级用户优先占用信道,从而保证高优先级用户的优先权。
  • 一种上行接入方法装置
  • [发明专利]通孔垂直结构的半导体芯片或器件-CN200610081556.3有效
  • 彭晖;彭一芳 - 金芃;彭晖
  • 2006-05-29 - 2006-10-25 - H01L33/00
  • 本发明揭示通孔垂直结构的半导体芯片或器件,包括,通孔垂直结构的氮化镓基、磷化镓基和氧化锌基发光二极管(LED),及生产工艺。一个具体实施实例的结构如下:绝缘的硅芯片的每一面分别形成两个电极。第一面上的两个电极分别通过通孔/金属填充塞与第二面上的两个电极电联接。第一面上的第二电极的位置和形状与键合于其上的半导体芯片的反射/欧姆/键合层的位置和形状相配合,第一面上的第一电极的位置和形状与层叠于其上的保护层的位置和形状相配合。半通孔/金属填充塞把第一面的第一电极和层叠于电流扩散层上的图形化的电极连接起来。第一类型限制层、活化层和第二限制层依次层叠于电流扩散层和反射/欧姆/键合层之间。
  • 垂直结构半导体芯片器件
  • [发明专利]利用铝土矿制备无铁硫酸铝和超细活性白炭黑的方法-CN200610035724.5有效
  • 张道洪 - 张道洪
  • 2006-05-31 - 2006-10-25 - C01F7/74
  • 本发明公开了利用铝土矿制备无铁硫酸铝和超细活性白炭黑的方法。其制备方法是将铝土矿粉碎、磁选除去游离铁源,然后与硫酸反应;加入中、高分子量多官能度的二硫代氨基甲酸盐固相反应除去铁离子,过滤,滤液即为无铁硫酸铝。滤渣分别用碱性水溶液、表面活性剂水溶液、自来水洗至中性,再和强碱反应后过滤,将滤液、无机酸和活性粒子控制剂反应,过滤、水洗、干燥得到超细活性白炭黑。该方法具有工艺简单、成本低廉、适于工业化生产,制备的硫酸铝铁含量小于15ppm、超细活性白炭黑的粒径为0.5~5um、比表面积大于200m2/g、拉伸强度高于17.0MPa、附加值高等优点。
  • 利用铝土矿制备硫酸铝细活炭黑方法
  • [发明专利]一种使用铝制制冷管路的分体式空调器-CN200610035636.5有效
  • 黄晓峰;闫志恒;罗光洁 - 广东科龙电器股份有限公司
  • 2006-05-26 - 2006-10-25 - F24F1/00
  • 本发明公开了一种使用铝制制冷管路的分体式空调。它包括室内机、室外机和连接室内机与室内机的连接管,其特征在于所述连接管和连接管两端的螺帽是由铝或铝合金制成,室外机上与连接管相连的截止阀阀体是由铝或铝合金制成,室外机上分别与截止阀相连的制冷系统管路是铜管或铜制件铜管与铝阀之间通过铜铝焊连接,焊接处表面设有防腐蚀层。铜铝连接部位处于不会受到雨水侵袭的位置,并进行了防腐处理,连接部位耐腐蚀性好、可靠性高。这种使用铝制连接管路的分体式空调器,能减少铜的消耗量,减轻空调器的重量。与现有技术相比,该空调器的制造成本更低。
  • 一种使用铝制制冷管路体式空调器
  • [发明专利]提高高分子材料抗静电性质的表面改性方法-CN200610040590.6有效
  • 朱爱萍;杨菲非 - 扬州大学
  • 2006-05-26 - 2006-10-25 - C08J7/12
  • 本发明涉及一种高分子材料抗静电性质的表面改性方法。本发明将高分子材料置于臭氧发生器中进行活化,或将高分子材料加入氧化剂进行活化,将活化后的高分子材料浸于2%的甲基丙烯酸除氧水溶液中,经UV光照,进行表面接枝,洗涤、干燥,在表面接枝聚甲基丙烯酸的高分子材料表面涂覆抗静电剂溶液,后干燥。解决了现有技术存在的小分子的迁移速度随着基体中抗静电剂浓度的减少而逐渐减小,材料表面的表面电阻随之增大,以及小分子抗静电剂在不同高分子材料中的迁移速度不易控制等缺陷。本发明从本体高分子材料入手,改变其表面物理化学性质,增加其与小分子抗静电剂的相容性,维持相对恒定的浓度,达到长久的抗静电效果。
  • 提高高分子材料抗静电性质表面改性方法
  • [发明专利]新型柱锤强夯置换基坑支护工法-CN200610019049.7有效
  • 刘献刚;邵忠心;郑有明;曹积才;屈峰 - 江西基业科技有限公司
  • 2006-05-12 - 2006-10-25 - E02D3/046
  • 本发明公开了一种新型柱锤强夯置换基坑支护工法,它是先进行平整场地,再进行放线布点,然后分别进行第一、二遍夯点施工,即进行深层和中浅层置换密实,原土推平后基坑按照设计要求分层放坡开挖,坡面人工平整,构筑挡墙结构,最后收锤。本发明是一种新型基坑支护工法,它具有如下特点:(1)、支护工程造价大幅度降低;(2)、机械化程度高、支护施工期大大提前;(3)、通过对基坑地基土本身的固结密实达到基坑支护的效果;(4)、对于地下水位较高的场地,可同时起到帷幕止水的作用;(5)、可起到节省原材料的效果,符合环抱、节能的要求。本发明特别适用于地势较开阔、周边无重要建筑物及地基土为松散的各类回填土、淤泥质土等场地。
  • 新型柱锤强夯置换基坑护工
  • [发明专利]高性能金属/绝缘体/金属结构的电容器及其制备方法-CN200610025277.5有效
  • 丁士进;黄宇健;张卫 - 复旦大学
  • 2006-03-30 - 2006-10-25 - H01L27/00
  • 本发明属半导体集成电路制造技术领域,具体为一种适合射频、模拟和混合信号集成电路的高性能金属/绝缘体/金属(MIM)电容器及其制备方法,该电容器以原子层淀积方法制备的Al2O3/HfO2纳米叠层结构作为绝缘介质,以TaN做为上、下金属电极。所制得的电容器可分别满足射频旁路电容器和模拟电容器的基本要求,主要表现为:在10k~20G赫兹范围内稳定的高电容密度12.8fF/μm2,在3.3V室温下的漏电为3.2×10-8A/cm2,在1MHz时电容的电压线性系数为240ppm/V;对于电容密度为3.13fF/μm2的电容器,在3.3V和125℃时漏电为1×10-9A/cm2,在100kHz时电容的电压系数为100ppm/V2
  • 性能金属绝缘体金属结构电容器及其制备方法

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