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[发明专利]用于控制包括嵌段共聚物的共混物的纳米结构化组合体的周期的方法-CN201480049611.3有效
发明人： C.纳瓦罗;X.希瓦利埃;C.尼科利特;I.伊利奥普洛斯;R.蒂朗;G.弗勒里;G.哈齐约安努 -专利权人：阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多大学;波尔多理工学院
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于控制包括沉积在表面上或者在模具中的嵌段共聚物的共混物的纳米结构化组装体的周期的方法。嵌段共聚物的特征在于，该嵌段共聚物具有至少一种相同的嵌段共聚物每一嵌段各自的构成单体，但呈现不同的分子量。所述控制方法的目标在于获得几乎没有纳米结构缺陷的膜或物品的厚度，该厚度对于经处理的表面是足够大的，以使所述经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩膜，或者对于由此获得的物品是足够大的以呈现先前未公布的机械、声学或光学特性。
用于控制包括共聚物共混物纳米结构组合周期方法

[发明专利]用于制造由嵌段共聚物成分获得的厚的纳米结构化膜的方法-CN201480049607.7有效
发明人： C.纳瓦罗;X.希瓦利埃;C.尼科利特;I.伊利奥普洛斯;R.蒂朗;G.弗勒里;G.哈齐约安努 -专利权人：阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多大学;波尔多理工学院
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于在表面上无纳米结构缺陷地制造由嵌段共聚物获得的纳米结构化膜的方法，所述嵌段共聚物呈现在1.1和2之间的分散度指数(包括界限)，从而使该经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩模。
用于制造共聚物成分获得纳米结构方法

[发明专利]制造平面聚合物堆叠物的方法-CN201880086963.4在审
发明人： X.希瓦利埃;I.伊里奥普洛斯 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造平面聚合物堆叠物的方法，所述堆叠物包括彼此在顶部之上堆叠的至少一个第一和一个第二(共)聚合物层(20，30)，第一下方(共)聚合物层(20)未受到任何允许其交联的预先处理，(共)聚合物层中的至少一个最初处于液体或粘性状态，所述方法的特征在于，将被称为顶部涂覆物(TC)的上层(30)以预聚物组合物(pre‑TC)的形式沉积在第一层(20)上，所述预聚物组合物包含在溶液中的至少一种单体和/或二聚体和/或低聚物和/或聚合物，以及特征在于然后使上层经历可引起所述层(30，TC)内的分子链的交联反应的刺激。
制造平面聚合物堆叠方法

[发明专利]用于制造平面聚合物堆叠物的方法-CN201880086931.4在审
发明人： X.希瓦利埃 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造平面聚合物堆叠物的方法，所述堆叠物至少包括彼此在顶部之上堆叠的第一和第二(共)聚合物层(20，30)，第一下(共)聚合物层(20)未经历任何允许其交联的预先处理，(共)聚合物层中的至少一个最初处于液体或粘性状态，所述方法的特征在于，将被称为顶部涂覆物(TC)的顶部层(30)以预聚物组合物(pre‑TC)的形式沉积在第一层(20)上，所述预聚物组合物包含在溶液中的至少一种单体和/或二聚体和/或低聚物和/或聚合物，以及特征在于然后使其经历能够引起所述层(30，TC)内的分子链的交联反应的热处理。
用于制造平面聚合物堆叠方法

[发明专利]用于在基底上制造嵌段共聚物膜的方法-CN201480075435.0有效
发明人： G.弗洛瑞;C.纳瓦罗;G.哈德兹奥安诺;C.尼科利特;X.希瓦利埃;C.雷布尔;V.卡斯蒂略;G.佩卡斯泰恩格斯 -专利权人：阿科玛法国公司;波尔多大学;波尔多理工学院;国家科学研究中心
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C08J9/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于在基底上制造自组装的嵌段共聚物膜的方法，所述方法由以下构成：借助于含不同化学性质且不混溶的嵌段共聚物和统计共聚物的混合物的溶液同时沉积嵌段共聚物和统计共聚物，然后实施退火处理以便促进嵌段共聚物的自组装体固有的相偏析。
用于基底制造共聚物方法

[发明专利]用于控制表征由嵌段共聚物和嵌段之一的(共)聚合物的共混物获得的形态的周期的方法-CN201480052279.6有效
发明人： C.纳瓦罗;X.希瓦利埃;C.尼科利特 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及采用特别的方式进行嵌段共聚物和所述嵌段之一的(共)聚合物的共混物的合成来控制表征在表面上的从嵌段共聚物和所述嵌段之一的(共)聚合物的共混物获得的形态的周期的方法。
用于控制表征共聚物之一聚合物共混物获得形态周期方法

[发明专利]控制基底表面能的方法-CN201580008266.3有效
发明人： C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.希瓦利埃 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及控制基底的表面能以可获得随后沉积在所述表面上的嵌段共聚物膜的纳米畴的特定取向的方法，所述方法特征在于，其包括下列步骤：制备聚合物的共混物，聚合物各自包括至少一个容许将其接枝到所述基底的表面或在所述基底的表面上进行交联的官能团，将由此制备的共混物沉积到所述基底的表面上，实施如下处理：其导致所述共混物的各聚合物接枝到所述基底的表面或者在所述基底的表面上进行交联。
控制基底表面方法

[发明专利]允许通过嵌段共聚物的自组装产生纳米结构体的方法-CN201480068283.1有效
发明人： M.马姆塔兹;K.艾苏;C.布罗乔恩;E.克劳泰特;G.弗洛瑞;G.哈德齐奥阿诺;C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.希瓦利埃 -专利权人：阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多理工学院;波尔多大学
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及允许通过嵌段共聚物的自组装产生纳米(nanometric)结构体的方法，其中所述嵌段中的至少一种来自包括至少一种符合式I的环状实体的单体的聚合，其中X＝Si(R₁,R₂)，Ge(R₁,R₂)；Z＝Si(R₃,R₄)，Ge(R₃,R₄)，O，S，C(R₃,R₄)；Y＝O，S，C(R₅,R₆)；且T＝O，S，C(R₇,R₈)；其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈选自氢，具有或不具有杂原子的直链、支链、环状烷基基团，和具有或不具有杂原子的芳族基团。
允许通过共聚物组装产生纳米结构方法

[发明专利]允许通过嵌段共聚物的自组装产生纳米结构体的方法-CN201480068285.0在审
发明人： M.马姆塔兹;K.艾苏;C.布罗乔恩;E.克劳泰特;G.弗洛瑞;G.哈德齐奥阿诺;C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.希瓦利埃 -专利权人：阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多理工学院;波尔多大学
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及通过嵌段共聚物的自组装允许纳米结构的产生的方法，其中所述嵌段共聚物的至少一个嵌段可以是结晶的或具有至少一个液晶相。
允许通过共聚物组装产生纳米结构方法

[发明专利]用于对使用基于苯乙烯和基于甲基丙烯酸甲酯的未经结构化的嵌段共聚物的嵌段共聚物膜进行纳米结构化的工艺、以及经纳米结构化的嵌段共聚物膜-CN201480068975.6在审
发明人： C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.希瓦利埃 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： B82Y30/00 文献下载
摘要：本发明涉及嵌段共聚物膜，其在预定温度下以纳米畴纳米结构化，所述嵌段共聚物膜由在所述预定温度下未经结构化的基础嵌段共聚物获得，而且，所述基础嵌段共聚物的至少一个嵌段包含苯乙烯且其至少另一嵌段包含甲基丙烯酸甲酯。该嵌段共聚物膜的特征在于其具有以下改性化学式：(A_α(i)‑共‑C_γ)_n‑嵌段‑(B_β(k)‑共‑D_δ)_n‑1‑嵌段‑(A_α(i+1)‑共‑E_ε)_n‑2‑嵌段‑(B_β(k+1)‑共‑F_ζ)_n‑3‑嵌段‑…‑嵌段‑(B_β(k+x)‑共‑W_ω)_n‑p，其中："n"代表所述嵌段共聚物的嵌段的数目，"A"代表苯乙烯和"B"代表甲基丙烯酸甲酯、或者反过来，"C"、"D"、"E"、"F"、...、"W"分别代表引入到所述嵌段共聚物的各嵌段中的共聚单体或共聚单体混合物，引入到基于苯乙烯的嵌段中的共聚单体或共聚单体混合物不同于引入到基于甲基丙烯酸甲酯的嵌段中的共聚单体或共聚单体混合物，指数αi和βk代表所述嵌段共聚物的各嵌段中所存在的苯乙烯或甲基丙烯酸甲酯单体单元的数目、且均是彼此独立的，指数γ、δ、ε、ζ…、和ω代表给定嵌段中的共聚单体单元的数目、且均是彼此独立的，指数αi、βk、γ、δ、ε、ζ和ω均大于或等于1。
用于使用基于苯乙烯甲基丙烯酸未经结构共聚物进行纳米工艺以及

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