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[发明专利]半导体ESD电路和方法-CN201210005826.8有效
发明人： D.阿尔瓦雷斯;K.多曼斯基;A.B.伊勒;C.C.鲁斯;W.佐尔德纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体ESD电路和方法。在一个实施例中，一种在第一节点和第二节点之间提供保护的静电放电（ESD）电路包括第一MOS器件，其具有耦接到第一节点的第一源极/漏极以及耦接到中间节点的第二源极/漏极。该ESD电路还包括：第一电容器，耦接在第一MOS器件的栅极和第一节点之间；第一电阻器，耦接在第一MOS器件的栅极和中间节点之间；第二MOS器件，具有耦接到中间节点的第一源极/漏极和耦合到第二节点的第二源极/漏极；第二电容器，耦接在第二MOS器件的栅极和第一节点之间；以及第二电阻器，耦接在第二MOS器件的栅极和第二节点之间。
半导体 esd 电路方法

[发明专利]半导体ESD器件和方法-CN201110327169.4有效
发明人： D.阿尔瓦雷斯;K.多曼斯基;C.C.鲁斯;W.佐尔德纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体ESD器件和方法。半导体器件实施例具有布置在ESD器件区段内的第二器件区段上的第一器件区段，所述ESD器件区段被布置在半导体主体内。还包括布置在第二器件区段上的第三器件区段，与第二器件区段相邻的第四器件区段，布置在第四器件区段内的第五器件区段，以及与第四器件区段相邻的第六器件区段。第一和第四区段具有第一半导体类型，并且第二、第三、第五和第六区段具有与第一导电类型相反的第二导电类型。第四器件区段与第六器件区段之间的界面形成二极管结。第一、第二、第四和第五器件区段形成硅控整流器。
半导体 esd 器件方法