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[发明专利]具有非对称光学损耗性能曲线和改进的最坏情况光学损耗性能的柔性波导-CN202080031964.6有效
发明人： T·巴维克兹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种波导，该波导具有：第一波导段，包括第一波导段限制参数的集合；第二波导段，具有路由弯曲和第二波导段限制参数的集合；以及第三波导段，具有第三波导段限制参数的集合。波导被配置为根据非对称光学损耗性能曲线引导光学数据，该非对称光学损耗性能曲线是以下的绘图：第一轴上的第一波导段限制参数的集合、第二波导段限制参数的集合和第三波导段限制参数的集合；以及第二轴上的由第一波导段限制参数的集合、第二波导段限制参数的集合和第三波导段限制参数的集合产生的光学损耗性能水平。第一波导段限制参数的集合、第二波导段限制参数的集合和第三波导段限制参数的集合被配置为共同最大化非对称光学损耗性能曲线在波导制造容差的范围内的预定最坏情况光学损耗性能水平。
具有对称光学损耗性能曲线改进最坏情况柔性波导

[发明专利]具有迁移率优化取向的半导体纳米线及其形成方法-CN201010154450.8有效
发明人： L·塞卡里克;T·巴维克兹;D·齐达姆巴劳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有迁移率优化取向的半导体纳米线及其形成方法。通过对电介质材料层上的半导体层进行光刻图案化来形成分别包含一个半导体链路部分和两个毗连的垫片部分的原型半导体结构。半导体链路部分的侧壁被取向为对于第一类型的半导体结构使空穴迁移率最大并且对于第二类型的半导体结构使电子迁移率最大。通过氧化对半导体结构进行细化，这样对于不同晶向以不同速率减小了半导体链路部分的宽度。半导体链路部分的宽度被预先确定，使得对半导体链路部分的侧壁的不同细化量导致细化后得到的半导体纳米线具有目标亚光刻尺寸。通过补偿对于不同晶面的不同细化速率，对于不同晶向可以形成具有最优亚光刻宽度的半导体纳米线，而不会出现细化不足或过量。
具有迁移率优化取向半导体纳米及其形成方法