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[发明专利]磁体组件、包括该磁体组件的装置和方法-CN201910783647.9有效
发明人：托尼·威尔比;史蒂夫·伯吉斯;艾德里安·托马斯;R·辛德曼;斯科特·海莫尔;克莱夫·韦迪克斯;I·蒙克里夫 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：公开了磁体组件、包括该磁体组件的装置和方法，该磁体组件用于在脉冲DC物理气相沉积过程期间使在基板上形成材料层时使用的离子转向。所述装置和方法包括用于控制经由脉冲DC物理气相沉积形成的材料层的厚度变化的组件。磁体组件包括用于产生靠近基板的磁场的磁场产生装置，和用于使离子转向磁场产生装置相对于基板围绕旋转轴线旋转的装置。磁场产生装置包括多个磁体，所述多个磁体被配置成围绕旋转轴线延伸的阵列，其中，磁体阵列被配置成沿着相对于旋转轴线的径向方向产生变化的磁场强度。
磁体组件包括装置方法

[发明专利]等离子体蚀刻的方法-CN202011152895.2有效
发明人： H·阿什拉夫;K·里德尔;C·普拉霍韦亚努 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N30/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体蚀刻的方法。根据本发明，提供一种等离子体蚀刻包括半导体衬底及锆钛酸铅PZT层的结构的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括半导体衬底及PZT层的结构；将所述结构定位于室内的支撑件上；通过执行第一等离子体蚀刻步骤而蚀刻所述结构，在所述第一等离子体蚀刻步骤中，将第一蚀刻工艺气体混合物供应到所述室，其中所述第一蚀刻工艺气体混合物包括至少一种含氟物质，且执行所述第一等离子体蚀刻步骤使得将非挥发性金属蚀刻产物沉积到所述室的内部表面上；及通过执行第二等离子体蚀刻步骤而进一步蚀刻所述结构，在所述第二等离子体蚀刻步骤中，将第二蚀刻工艺气体混合物供应到所述室，其中所述第二蚀刻工艺气体混合物包括至少一种碳氟化合物物质，且执行所述第二等离子体蚀刻步骤使得将碳氟化合物聚合物层沉积到所述室的内部表面上以覆叠于在所述第一等离子体蚀刻步骤中沉积的非挥发性金属蚀刻产物上且提供可在上面沉积其它非挥发性金属蚀刻产物的衬底。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]等离子体蚀刻和等离子体切割的方法-CN201810568915.0有效
发明人：奥立佛·J·安塞尔;马丁·哈尼辛克;珍妮特·霍普金斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种在附接有背面金属层的硅衬底中等离子体蚀刻一个或多个切割通道的方法，该方法包括以下步骤：使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行主蚀刻，以产生具有圆齿形侧壁的切割通道；和切换到使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行第二蚀刻，直到达到背面金属层，其中，在第二蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅量是在主蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅的量的一半或者更少。本发明还提供了一种对附接有背面金属层的硅衬底进行等离子体切割的方法。
等离子体蚀刻切割方法

[发明专利]操作物理气相沉积设备的方法-CN202211094791.X在审
发明人： S·海默尔;T·威尔比;S·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：根据本发明，提供一种在清洁模式下操作PVD设备以从形成在半导体衬底上的导电特征移除材料的方法，其包括以下步骤：将具有形成在其上的所述导电特征的所述半导体衬底定位在所述PVD设备的腔室中的衬底支撑件上；在所述腔室内部署挡板以将所述腔室划分为所述半导体衬底及所述衬底支撑件定位在其中的第一隔室及所述PVD设备的目标定位在其中的第二隔室；及同时在所述第一隔室中产生第一等离子体以从所述导电特征移除材料，且在所述第二隔室中产生第二等离子体以清洁所述目标。
作物理气沉积设备方法

[发明专利]等离子体蚀刻碳化硅-CN202211053754.4在审
发明人： A·克鲁特 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻化合物半导体衬底以形成特征的方法及用于等离子体蚀刻衬底以形成特征的等离子体蚀刻设备。
等离子体蚀刻碳化硅

[发明专利]SAW器件及制造方法以及包括其的电子电路和电子器件-CN201811061576.3有效
发明人： R·辛德曼;史蒂夫·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N30/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种使表面声波(SAW)器件的谐振频率的不均匀性降低的方法，该SAW器件包括通过反应溅射沉积在压电基底上的叉指式换能器上的含硅的氧化物的硅氧化物层。该方法包括：将具有叉指式换能器的压电基底定位在基底支撑件上；随后，在所述压电基底和所述叉指式换能器上沉积含硅的氧化物的硅氧化物层以形成SAW器件。所述基底支撑件相对于溅射靶定位，从而所述SAW器件的硅氧化物层具有11埃或更低的算术平均表面粗糙度(Ra)。本发明还涉及该表面声波器件、包括其的电子电路以及电子器件。
saw 器件制造方法以及包括电子电路电子器件

[发明专利]减小表面粗糙度的方法-CN202211375182.1在审
发明人：罗兰·芒福德;克里斯托弗·乔纳森·W·博尔顿 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及一种减小表面粗糙度的方法。一种减小包括直立及/或凹陷特征的硅衬底的非平面表面上的表面粗糙度的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有非平面表面的硅衬底，所述非平面表面包括具有相关联表面粗糙度的直立及/或凹陷特征；在所述硅衬底上执行第一序列的等离子体处理步骤；及在所述硅衬底上执行第二序列的等离子体处理步骤。
减小表面粗糙方法

[发明专利]等离子体蚀刻-CN202211540803.7在审
发明人： A·伍德;K·里德尔;H·阿什拉夫 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及等离子体蚀刻。根据本发明，提供一种等离子体蚀刻含添加剂的氮化铝膜的方法，其包括在时间段t内通过掩模等离子体蚀刻含有选自Sc、Y或Er的添加元素的含添加剂的氮化铝膜，其中形成于气态氛围中的等离子体具有相关联的气体压力，同时将RF偏压功率施加到所述含添加剂的氮化铝膜；其中在大部分的所述时间段t内减小所述气体压力和/或增加所述RF偏压功率，使得所述等离子体蚀刻在大部分的所述时间段t内变得更不具化学性且更具物理性。
等离子体蚀刻

[发明专利]等离子体刻蚀方法-CN202211150597.9在审
发明人： A·H·伍德;K·里德尔;H·阿什拉夫;J·霍普金斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明揭示一种对含添加剂的氮化铝膜进行等离子体蚀刻的方法，所述含添加剂的氮化铝膜含有选自钪、钇或铒的添加剂元素。所述方法包括将工件放置在等离子腔室内的压板上，所述工件包括具有沉积在其上的含添加剂的氮化铝膜的衬底及安置在所述含添加剂的氮化铝膜上的掩模，所述掩模界定至少一个沟槽。所述方法进一步包括将第一蚀刻气体以第一流率引入所述腔室，将第二蚀刻气体以第二流率引入所述腔室，及在所述腔室内建立等离子体以蚀刻在所述沟槽内暴露的所述含添加剂的氮化铝膜。所述第一蚀刻气体包括三氯化硼且所述第二蚀刻气体包括氯，且所述第一流率与所述第二流率的比率大于或等于1:1。
等离子体刻蚀方法

[发明专利]使表面光滑的方法-CN201711265604.9有效
发明人：罗兰·芒福德 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及使表面光滑的方法。根据本发明，提供一种使硅衬底的表面光滑的方法，该方法包括以下步骤：提供具有后侧表面的硅衬底，其中硅衬底已被研磨以使后侧表面具有相关粗糙度；以及使用等离子体蚀刻处理使硅衬底的后侧表面光滑；其中等离子体蚀刻处理包括以下步骤：执行第一等离子体蚀刻步骤，该第一等离子体蚀刻步骤形成从后侧表面竖立的多个突起；以及执行第二等离子体蚀刻步骤，该第二等离子体蚀刻步骤至少部分地蚀刻突起，以提供呈现镜面反射的光滑后侧表面。
表面光滑方法

[发明专利]PVD方法及设备-CN202211319247.0在审
发明人： S·海默尔;A·托马斯;T·威尔比;S·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及一种PVD方法及设备。根据本发明，提供一种通过物理气相沉积PVD将沉积材料沉积到形成在衬底中的多个凹槽中的方法，所述方法包括以下步骤：将所述衬底定位在衬底支撑件的衬底支撑上表面上，其中永磁体布置定位于所述衬底支撑上表面下方，使得永磁体安置在所述衬底下方；及通过从磁控管装置的目标溅射溅射材料而将所述沉积材料沉积到形成在所述衬底中的所述凹槽中；其中，在沉积所述沉积材料的所述步骤期间，所述永磁体布置提供跨所述衬底的表面的大体上均匀的横向磁场，所述横向磁场延伸到所述衬底的外围以外的区，以增强沉积到所述凹槽中的沉积材料的再溅射。
pvd 方法设备

[发明专利]沉积方法-CN202210985232.1在审
发明人： T·哈珀;K·克鲁克 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本主题申请涉及沉积方法。根据本发明，提供了一种通过等离子体增强化学气相沉积PECVD将氢化碳氮化硅(SiCN:H)薄膜沉积到衬底上的方法，其包括以下步骤：在腔室中提供所述衬底；将硅烷(SiH4)、烃气体或蒸气、氮气(N2)和氢气(H2)引入所述腔室中；和在小于约200℃的工艺温度下，在所述腔室中维持等离子体以便通过PECVD将SiCN:H沉积到所述衬底上。
沉积方法

[发明专利]等离子体发生装置-CN201910199877.0有效
发明人：保罗·贝内特 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体发生装置。该装置包括多个等离子体源，每个等离子体源包括经由相应的传输线被电耦接到公共电气端子的相应的天线线圈组件。每条传输线被配置为将射频电功率信号从所述公共电气端子传送到所述相应的天线线圈组件，并且每条传输线的长度是所述射频电功率信号的1/4波长的奇数倍。
等离子体发生装置

[发明专利]用于等离子体蚀刻工件的方法及装置-CN201710363139.6有效
发明人：尼古拉斯·洛奈;马克西姆·瓦瓦拉 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种在硅基板中等离子体蚀刻一个或多个特征的方法，所述方法包括以下步骤：使用循环蚀刻工艺进行主蚀刻，在该循环蚀刻工艺中沉积步骤和蚀刻步骤交替重复；以及进行过蚀刻以完成所述特征的等离子体蚀刻；其中：该过蚀刻包括一个或多个第一类蚀刻步骤和一个或多个第二类蚀刻步骤，所述第一和第二类蚀刻步骤中的每个步骤都包括通过离子轰击所述硅基板来进行蚀刻；以及所述一个或多个第二类蚀刻步骤期间的离子轰击相对于所述一个或多个第一类蚀刻步骤期间的离子轰击具有向内的倾斜。本发明还提供了一种用上述方法蚀刻硅基板的装置。
用于等离子体蚀刻工件方法装置

[发明专利]探测状况的方法以及相关的装置-CN201710534660.1有效
发明人：奥立佛·J·安塞尔;戴维·A·托塞尔;马丁·哈尼辛克 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种对与等离子体切割工艺的最终阶段相关的状况进行探测的方法，包括以下步骤：提供非金属基板，所述非金属基板上限定有多个切割通道；沿所述切割通道，等离子体蚀刻穿透所述衬底，其中在所述等离子体蚀刻期间，监测从所述切割通道的至少一部分发出的红外辐射，从而当观察到来自切割通道的红外辐射的增加时，视为进入等离子体切割操作的最后阶段；和由所监测的红外辐射探测与所述等离子体切割的最终阶段相关的状况。本发明还涉及相关的装置。
探测状况方法以及相关装置

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