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[发明专利]具有保护栅极电介质的阻挡层的基于FET的湿度传感器-CN201710333712.9有效
发明人： C.科比亚努;R.戴维斯;A.斯特拉图拉特;B.塞尔班;O.比尤;C.G.博斯坦;M.布雷兹努;S.D.科斯蒂 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：说明性湿度传感器可以包括具有源极和漏极的衬底，其中所述漏极与源极横向隔开。在所述源极和漏极之间的空间中设置有栅极堆叠，以形成晶体管。栅极堆叠可以包括位于所述衬底上的栅极绝缘体，以形成栅极绝缘体/衬底界面。栅极堆叠可以进一步包括所述栅极绝缘体上方的阻挡层。所述阻挡层可以被构造成充当对移动电荷、湿气和/或其他污染物的屏障，并且可以帮助防止这样的污染物到达所述栅极绝缘体/衬底界面。栅极堆叠可以进一步包括所述阻挡层上方的湿度传感层。当暴露于湿气时，所述湿度传感层可以调节在所述栅极绝缘体下方并且在所述源极和漏极之间的衬底中的导电沟道。在一些情况下，湿度水平可以通过监测在源极和漏极之间流动的电流来确定。
具有保护栅极电介质阻挡基于 fet 湿度传感器

[实用新型]湿度传感器-CN201620014676.0有效
发明人： C.科比亚努;B.塞尔班;C.博斯坦;S.D.科斯蒂;O.比尤;A.斯特拉图拉特;M.布雷兹努 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及湿度传感器。一种湿度传感器具有感测组件和参考组件。每个组件可以通过使用具有上部栅极介电层的晶体管来指示湿度，所述上部栅极介电层具有根据对水分改变的暴露而变化的介电常数。感测组件可以具有其暴露于周围环境的上部栅极介电层。参考组件可以具有其没有对任何环境的暴露的上部栅极介电层。感测和参考晶体管输出可以利用差分电子器件来处理，从而提供输出来指示周围环境中的湿度。差分处理可以反映具有高共模抑制比的输出。沉积在薄栅极介电层上的上部栅极介电层的示例可以是疏水性聚合物材料。可以代替地使用其它材料。组件和处理电子器件可以是利用集成电路技术制造的晶体管电路。
湿度传感器