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[发明专利]隧道场效应晶体管及其制造方法-CN201580068414.0有效
发明人：赵清太;S.曼特尔;S.布勒泽 -专利权人：于利奇研究中心有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）与迄今为止的现有技术相比尤其是具有两个优点。首先，提供了缩短的隧道势垒，并且由此提供了缩短的隧道结。这通过如下方式来实现：在源极区域中，一方面设置硅化并且此外设置掺杂物分离，它们导致更陡峭的隧道边沿。另一方面，通过选择性和自调校的硅化，隧道面积自身扩大，其中在根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）中设置与栅极的电场线平行延伸的隧道结。根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）因此将与栅极的电场线平行的隧道结与栅极之下的经扩大的隧道区域相连接，所述隧道区域具有拥有较窄带隙的材料。根据本发明的用于制造TFET的方法包括选择性的自调校的硅化并且此外包括掺杂物分离。通过这些步骤可以精确到几纳米地可再现地制造隧道结。
隧道场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]在IV衬底上在低温下沉积晶层、尤其是光致发光IV‑IV层的方法，以及包含这种层的光电元器件-CN201580031711.8在审
发明人： D.格鲁茨马赫;S.沃思;D.M.布卡;S.曼特尔 -专利权人：于利希研究中心
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在IV‑衬底、尤其是硅衬底或锗衬底上单片式沉积IV‑IV层、尤其是GeSn或SiGeSn层的方法，所述层是单晶的、受激发光、由IV‑主族的多种元素组成并且具有小于106cm‑2的位错密度，该方法具有以下步骤提供第一IV族元素(A)的氢化物，例如Ge2H6或Si2H6；提供第二IV族元素(B)的卤化物，例如SnCl4；加热所述衬底至衬底温度，所述衬底温度低于纯的氢化物或由所述氢化物形成的自由基的分解温度，并且高得足以使第一元素(A)和第二元素(B)的原子以晶体排列嵌入到所述表面中，其中所述衬底温度特别地处于300℃至475℃的范围；由惰性载气，特别是N2、Ar、He产生载气流，所述惰性载气尤其不是H2；将所述氢化物和所述卤化物以及由其形成的分解产物在最大300毫巴的总压力下输送至所述表面；沉积具有至少200nm的厚度的IV‑IV层或由同类的IV‑IV层组成的层序列，其中，所沉积的层尤其为SiyGe1‑x‑ySn层，x>0.08且y≤1。
iv 衬底低温沉积尤其是光致发光方法以及包含这种光电元器件

[发明专利]用于制造单晶金属-半导体-复合的方法-CN201380011225.0无效
发明人：赵清太;L.克诺尔;S.曼特尔 -专利权人：于利奇研究中心有限公司
申请日： 2013-02-16 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：在用于制造半传导的功能层的表面上的单晶金属-半导体-复合的方法中首先将包含金属的储备层涂覆在功能层上。接着通过退火触发金属与功能层的反应。根据本发明，储备层最迟在从功能层的表面起5nm的层厚度的情况下结束，或储备层最迟在这个层厚度的情况下转变成区域，金属在该区域中比在与功能层直接相邻的区域中更慢扩散。通过这个措施可以有利地避免功能层中金属的扩散流。可以认识到，这正好取决于，金属-半导体-复合是否是单晶。储备层可以由金属或金属的合金组成的至少两个层，该至少两个层彼此之间通过扩散势垒分开，但是还包括由金属组成的与功能层直接相邻的层和由金属的合金组成的至少一个层。
用于制造金属半导体复合方法

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