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[发明专利]包括采用不同焊料材料的互连的微电子组件-CN202211545075.9在审
发明人： J·埃克顿;J·M·甘巴;B·C·马林;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;孙小轩;O·G·卡尔哈德;X·F·布龙;Y·李;S·纳德;单博涵;陈昊博;段刚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可以包括：位于第一层中的具有第一表面和相反的第二表面的第一管芯；位于第一层上的重新分布层(RDL)，其中，该RDL包括导电过孔，所述导电过孔具有朝向该RDL的第一表面的较大宽度和朝向该RDL的相反的第二表面的较小宽度；其中，该RDL的第一表面通过具有第一焊料的第一焊料互连电耦合至第一管芯的第二表面；以及位于该RDL上的第二层中的第二管芯，其中，第二管芯通过具有第二焊料的第二焊料互连电耦合至该RDL，其中，第二焊料不同于第一焊料。
包括采用不同焊料材料互连微电子组件

[发明专利]具有玻璃衬底和薄膜电容器的微电子组件-CN202211433240.1在审
发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆;T·A·易卜拉欣;R·N·马内帕利;J·S·居泽尔;H·阿齐米 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文公开了微电子组件、相关设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：玻璃衬底，具有表面，玻璃衬底包括穿玻璃衬底过孔(TGV)和表面上的腔；第一管芯，嵌套在腔中；绝缘材料，在玻璃衬底的表面上；第一导电柱和第二导电柱，均穿过绝缘材料；电容器，在绝缘材料中，电容器包括第一导电层、电介质层以及第二导电层，第一导电层在玻璃衬底的表面上，第一导电层电耦合到TGV和第一导电柱，从而形成电容器的第一极板，电介质层在第一导电层上，第二导电层在电介质层上，第二导电层电耦合到第二导电柱，从而形成电容器的第二极板；以及第二管芯，在绝缘材料上，第二管芯电耦合到第一管芯。
具有玻璃衬底薄膜电容器微电子组件

[发明专利]具有氮化硅多层的微电子组件-CN202211456217.4在审
发明人： K·K·达尔马韦卡尔塔;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;聂白;陈昊博;J·M·甘巴 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文公开了微电子组件、相关器件和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：在第一层中的第一管芯，第一管芯具有带有第一导电触点的第一表面和带有第二导电触点的相对的第二表面；第一材料层，第一材料层在第一管芯的第一表面上，第一材料层包括硅和氮；在第一材料层上的第二材料层，第二材料层包括可光成像电介质；导电过孔，穿过第一材料层和第二材料层，其中，导电过孔中的相应导电过孔电耦合到第一管芯上的第二导电触点中的相应第二导电触点；以及在第二层中的第二管芯，其中，第二层在第一层上，并且其中，第二管芯通过导电过孔电耦合到第一管芯上的第二导电触点。
具有氮化多层微电子组件

[发明专利]高带宽光互连架构-CN202180070904.X在审
发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆;B·C·马林;S·派塔尔;S·瓦德利马尼;R·N·马内帕利;X·李;S·V·波图库迟;S·沙兰;A·萨卡尔;O·卡尔哈德;N·德什潘德;D·普拉塔普;J·埃克顿;D·马利克;R·V·马哈詹;张志超;K·艾京;B·聂;K·达尔马韦卡尔塔;J·E·若斯;J·M·甘巴;B·K·卡斯珀;段刚;R·印蒂;M·曼苏里;S·贾达夫;K·布朗;A·阿格拉瓦尔;P·多布里亚尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本文中公开的实施例包括光学封装。在实施例中，光学封装包括封装基板以及耦合到封装基板的光子管芯。在实施例中，计算管芯耦合到封装基板，其中，光子管芯通过位于封装基板中的桥通信地耦合到计算管芯。在实施例中，光学封装还包括嵌入在封装基板中的光波导。在实施例中，光波导的第一端位于光子管芯下方，并且光波导的第二端与封装基板的边缘基本上共面。
带宽互连架构

[发明专利]用于增强功率递送的玻璃贴片中的局部高磁导率磁性区域-CN202211011302.X在审
发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆;T·A·易卜拉欣;A·柯林斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括电子封装和组装此类封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括芯。在实施例中，芯包括玻璃。在实施例中，构建层在芯之上，插塞嵌入构建层中。在实施例中，插塞包括磁性材料。在实施例中，电感器裹绕插塞。
用于增强功率递送玻璃中的局部磁导率磁性区域

[发明专利]用于与半导体封装一起使用的具有信号屏蔽件的玻璃衬底及相关方法-CN202211019303.9在审
发明人： K·达尔马韦卡尔塔;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;K·艾京;T·卡姆嘎因;钱治国;J·孙 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了用于与半导体封装一起使用的具有信号屏蔽件的玻璃衬底及相关方法。示例半导体封装包括限定通道和TGV的芯层。通道至少部分地围绕TGV。信号传输线设置在开口中并且延伸穿过芯层。导电材料位于通道中。导电材料用于为传输线提供电磁屏蔽。
用于半导体封装一起使用具有信号屏蔽玻璃衬底相关方法

[发明专利]半导体封装中的具有用于电力输送的部分嵌入导电层的玻璃衬底和相关方法-CN202211016798.X在审
发明人： K·达尔马韦卡尔塔;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;A·阿列克索夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了半导体封装中的具有用于电力输送的部分嵌入导电层的玻璃层和相关方法。一种示例性半导体封装包括核心层，该核心层具有处于第一表面和相反的第二表面之间的厚度。该核心层包括被提供在第一表面中的沟槽。该沟槽部分地在第一表面和第二表面之间延伸。导电材料被置于沟槽中。迹线被提供在导电材料上。迹线在背离核心层的第一表面并且背离核心层的第二表面的方向上偏移。
半导体封装中的具有用于电力输送部分嵌入导电玻璃衬底相关方法

[发明专利]利用凸块间距尺度的穿玻璃芯过孔间距来实现衬底层数减少-CN202211011525.6在审
发明人： A·柯林斯;A·阿列克索夫;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;T·A·易卜拉欣;T·卡姆嘎因;A·萨因;S·潘迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开内容涉及利用凸块间距尺度的穿玻璃芯过孔间距来实现衬底层数减少。本文公开的实施例包括电子封装。在实施例中，一种电子封装包括封装衬底，其中封装衬底包括：芯衬底。在实施例中，芯衬底包括玻璃。在实施例中，过孔穿过所述芯衬底。在实施例中，管芯耦接到封装衬底，其中，管芯包括IO接口。在实施例中，IO接口电耦接到过孔，并且过孔在管芯的占有面积之内。
利用间距尺度玻璃实现衬底层数减少

[发明专利]防止玻璃芯衬底或玻璃插入体中的裂纹传播的沟保护-CN202210997981.6在审
发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆;R·N·马内帕利;R·塔尼克拉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括电子封装和组装这种电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括芯，其中芯包括玻璃。在实施例中，孔穿过芯的厚度，并且插塞填充孔，其中插塞包括聚合材料。在实施例中，第一层在芯之上，其中第一层包括电介质材料；并且第二层在芯之下，其中第二层包括电介质材料。
防止玻璃衬底插入中的裂纹传播保护

[发明专利]光耦合附接到玻璃衬底的管芯的玻璃衬底内的光波导-CN202210999878.5在审
发明人：张志超;P·塔达勇;T·A·易卜拉欣;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;刘昌华;K·艾京 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本文描述的实施例可以涉及针对半导体封装的玻璃层内的光互连和光波导的装置、工艺和技术，其中与玻璃层物理且光耦合的管芯经由光波导彼此光耦合。一个或多个反射器可以用于引导光路径穿过玻璃层。可以描述和/或要求保护其他实施例。
耦合接到玻璃衬底管芯波导

[发明专利]具有金属壁的贯穿玻璃过孔-CN202210997296.3在审
发明人： D·杜鲁伊契奇;S·S·坎达努尔;H·A·卡斯特罗德拉托雷;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;M·瓦尔;S·纳德;R·尚穆加姆;B·董 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文描述的实施例可以涉及与封装内的玻璃层相关的设备、工艺和技术，该玻璃层包括一个或多个以导电材料填充的高深宽比TGV。TGV从玻璃层的第一侧延伸到玻璃层的与第一侧相对的第二侧，并且被利用导电材料填充以提供在玻璃层的第一侧与玻璃层的第二侧之间的高质量电连接，其中，TGV的壁的一部分包括钛。可以描述和/或要求保护其他实施例。
具有金属贯穿玻璃

[发明专利]将玻璃通孔的金属焊盘与玻璃表面分隔开的电介质层-CN202210986612.7在审
发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆;S·派塔尔;K·达尔马韦卡尔塔;田中宏树;B·C·马林;J·D·埃克顿;段刚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文描述的实施例可以涉及与封装中的衬底之内的玻璃芯相关的设备、工艺和技术，所述玻璃芯具有填充有导电材料的一个或多个玻璃通孔(TGV)，以将玻璃芯的第一侧与玻璃层的与第一侧相对的第二侧电耦接。也是导电材料的焊盘与TGV的导电材料的第一和/或第二端电和物理耦接。电介质材料层在制造、处置和/或操作期间位于焊盘的至少一部分和玻璃芯的位于焊盘和玻璃芯之间的表面之间，以有助于减小玻璃芯中的应力裂缝。可以描述和/或主张其他实施例。
玻璃金属表面隔开电介质

[发明专利]用于异构封装架构的具有腔体结构的玻璃芯-CN202210975303.X在审
发明人： S·派塔尔;Y·李;K·K·达尔马韦卡尔塔;段刚;S·V·皮耶塔姆巴拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于异构封装架构的具有腔体结构的玻璃芯。公开了一种微电子组件，包括：具有玻璃制成的芯的衬底；以及耦接到衬底的第一侧的第一集成电路(IC)管芯和第二IC管芯。芯包括腔体，第三IC管芯位于腔体内部，并且芯还包括一个或多个导电穿玻璃过孔(TGV)，其便于在衬底的第一侧和衬底的相对第二侧之间的电耦接。在一些实施例中，腔体是盲腔；在其他实施例中，腔体是贯穿孔。在一些实施例中，第三IC管芯仅提供第一IC管芯和第二IC管芯之间的横向耦接；在其他实施例中，第三IC管芯还利用穿硅过孔提供衬底的第一侧和第二侧之间的电耦接。
用于封装架构具有结构玻璃

[发明专利]包含倒置玻璃中介层的精细凸块间距管芯到管芯平铺-CN202210890269.6在审
发明人： J·D·埃克顿;B·C·马林;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;S·纳德;L·阿拉纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括电子封装和组装这种电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括包含玻璃的第一层。在实施例中，穿过第一层形成导电柱，并且内建层堆叠体在在第一层上。在实施例中，穿过内建层堆叠体提供导电布线。在实施例中，第二层在内建层堆叠体的与玻璃层相反的表面上方。本公开内容涉及包含倒置玻璃中介层的精细凸块间距管芯到管芯平铺。
包含倒置玻璃中介精细间距管芯平铺

[发明专利]玻璃中的光子互连和部件-CN202210975907.4在审
发明人： K·达尔马韦卡尔塔;B·董;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;T·A·易卜拉欣;H·马哈林加姆;聂白 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开内容涉及玻璃中的光子互连和部件。本文公开的实施例包括具有光子集成电路(PIC)的电子封装。在实施例中，一种电子封装包括具有第一凹陷和第二凹陷的玻璃衬底。在实施例中，PIC位于第一凹陷中。在实施例中，光学模块位于第二凹陷中，并且光波导在第一凹陷和第二凹陷之间嵌入在玻璃衬底中。在实施例中，光波导将PIC光耦接至光学模块。
玻璃中的光子互连部件

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