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[发明专利]用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置-CN202310389916.X在审
发明人： Y－L·常;Q·王;D·高;S·N·格宁;M·海兰德;J·邱;Z·王 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10K50/10 文献下载
摘要：光电子装置包括：(1)包括第一区域和第二区域的衬底；和(2)覆盖所述衬底的第二区域的传导性覆层。衬底的第一区域从传导性覆层暴露，和与衬底的第一区域邻近的传导性覆层的边缘具有大于约20度的接触角。
用于图案表面上覆层方法包括装置

[发明专利]用于形成图案化涂层的含硅化合物和包含该化合物的器件-CN202180079237.1在审
发明人： M·海兰德;S·N·格宁 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：一种包括化合物的分层半导体器件，所述化合物包括硅‑氧主链和附着到所述硅‑氧主链的至少一个含氟部分。该化合物可包括由下式表示的单元：其中R和R'各自独立地表示以下中的至少一者：取代或未取代的烷基、取代或未取代的氟代烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的氟代烷氧基、取代或未取代的甲硅烷氧基，或者取代或未取代的氟代烷基甲硅烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的氟代环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的氟代芳基，或取代或未取代的杂芳基；并且其中R和R'中的至少一者为该含氟部分。
用于形成图案涂层化合物包含器件

[发明专利]一种光电子器件-CN202310301649.6在审
发明人： M·海兰德;S·N·格宁;Z·王 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2020-03-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：一种光电子器件，其包括：成核抑制涂层(NIC)，设置在所述器件的侧向朝向的第一部分中的所述器件表面上；和导电涂层，所述导电涂层包含导电涂层材料并且设置在所述器件的侧向朝向的第二部分中的所述器件表面上；其中所述第一部分中的所述NIC的表面基本上没有所述导电材料的封闭涂层，所述NIC包含化合物，所述化合物包含核心部分和至少一个与其键合的部分，并且所述至少一个部分中的至少一者包含氟代芳基基团作为取代基。
一种光电子器件

[发明专利]用于形成图案化涂层的化合物和包含该化合物的装置-CN202180055454.7在审
发明人： M·海兰德;S·N·格宁;Z·王;Q·王;Y-L·常 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含链部分的磷腈衍生物化合物，该链部分包含主链和附接的氟原子；以及包含这种化合物的光电子装置。该链部分包含中间部分、布置在其末端部处的与中间部分键合的末端部分，以及/或者包含附接到(包括通过该链部分的接头部分附接到)该链部分的磷腈单元的核心部分。该链部分附接到磷腈单元的磷原子并且/或者包含具有多个单元的环磷腈。该装置具有两个电极和有源区域，该有源区域包括半导电层，该有源区域在纵向上由这些电极界定并且在侧向上局限到由这些电极限定的不含该化合物的发射区域。装置图案化涂层在第一侧向部分中包含该化合物。该装置具有沉积材料的沉积层，但第一部分不含沉积材料的封闭涂层。
用于形成图案涂层化合物包含装置

[发明专利]用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置-CN201880042206.7有效
发明人： Y-L·常;Q·王;D·高;S·N·格宁;M·海兰德;J·邱;Z·王 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K50/10 文献下载
摘要：光电子装置包括：(1)包括第一区域和第二区域的衬底；和(2)覆盖所述衬底的第二区域的传导性覆层。衬底的第一区域从传导性覆层暴露，和与衬底的第一区域邻近的传导性覆层的边缘具有大于约20度的接触角。
用于图案表面上覆层方法包括装置

[发明专利]用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置-CN202080032836.3有效
发明人： M·海兰德;S·N·格宁;Z·王 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2020-03-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10K71/60 文献下载
摘要：一种光电子装置，其包括：成核抑制涂层(NIC)，所述NIC安置在所述装置的在其横向方面的第一部中的表面上；以及导电涂层，所述导电涂层安置在所述装置的在其所述横向方面的第二部中的表面上；其中在所述第一部中，所述导电涂层针对所述NIC的初始粘附概率显著小于针对所述表面的初始概率，使得所述第一部基本上缺乏所述导电涂层；并且其中所述NIC包括具有如下式(I)所展示的式等式的化合物。
用于形成成核抑制涂层材料结合装置

[发明专利]用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置-CN202080049617.6在审
发明人： M·海兰德;S·N·格宁 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：一种光电子装置包含：成核抑制涂层(NIC)，所述NIC安置在所述装置的在其横向方面的第一部中的第一层表面上；以及导电涂层，所述导电涂层安置在所述装置的在其所述横向方面的第二部中的第二层表面上；其中用于在所述第一部中的所述NIC的表面上形成所述导电涂层的初始粘附概率显著小于用于在所述第二部中的所述表面上形成所述导电涂层的初始粘附概率，使得所述第一部中的所述NIC的所述表面基本上缺乏所述导电涂层。
用于形成成核抑制涂层材料结合装置

[发明专利]用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置-CN202080043582.5在审
发明人： S·N·格宁;M·海兰德 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2020-04-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：一种光电子装置，其包含：成核抑制涂层(NIC)，所述NIC安置在所述装置的在其侧面的第一部中的表面上；以及导电涂层，所述导电涂层安置在所述装置的在其所述侧面的第二部中的表面上；其中在所述第一部中，所述导电涂层针对所述NIC的初始粘附概率显著小于针对所述表面的初始概率，使得所述第一部基本上缺乏所述导电涂层。
用于形成成核抑制涂层材料结合装置

[发明专利]形成成核抑制涂层的材料和并入其的装置-CN201980022616.X在审
发明人： Y-L·常;Q·王;S·N·格宁;M·海兰德;J·邱;Z·王;B·H·莱萨尔 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C07C22/08 文献下载
摘要：光电装置包括衬底；设置在衬底上的第一电极；设置在第一电极上的半导体层；设置在半导体层上的第二电极，第二电极具有第一部分和第二部分；设置在第二电极的第一部分上的成核抑制涂层；以及设置在第二电极的第二部分上的导电涂层，其中成核抑制涂层是式(I)化合物
形成成核抑制涂层材料并入装置