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[发明专利]用于分离远场中的辐射的组件-CN202280015634.7在审
发明人： P·W·斯摩奥伦堡;J·赖宁克;M·P·瑞因德斯;H-K·尼恩惠斯;D·欧德威尔;S·B·罗博尔;C·L·波特;S·爱德华 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：一种用于在远场中分离第一辐射与第二辐射的组件和方法，其中，所述第一辐射和所述第二辐射具有非重叠波长。所述组件包括：毛细管结构，其中，所述第一辐射和所述第二辐射沿所述毛细管结构的至少一部分同轴地传播；和光学结构，所述光学结构被配置成通过干涉来控制所述第一辐射在所述毛细管结构外部的空间分布，使得所述第一辐射在所述远场中的强度沿所述第二辐射的光轴减小。
用于分离中的辐射组件

[发明专利]用于输送气体的设备及用于产生高谐波辐射的照射源-CN202211226584.5在审
发明人： S·斯里瓦斯塔瓦;S·B·罗博尔;S·G·J·马西森;林楠;S·N·L·唐德斯;K·F·布斯特雷恩;P·W·斯摩奥伦堡;G·J·H·布鲁斯阿德 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了适合于高谐波产生(HHG)辐射源的气体输送系统，所述高谐波产生辐射源可以用于产生用于检查设备的测量辐射。在这样的辐射源中，气体输送元件在第一方向上输送气体。所述气体输送元件具有光学输入和光学输出，限定了在第二方向上延伸的光学路径。所述第一方向相对于所述第二方向以不垂直且不平行的角度来布置。也公开了一种具有气体射流成形装置的气体输送元件，或一对气体输送元件，其中的一个输送第二气体，使得所述气体射流成形装置或第二气体可操作以修改所述气体的流轮廓使得所述气体的数量密度急剧降低。
用于输送气体设备产生谐波辐射照射

[发明专利]用于输送气体的设备及用于产生高谐波辐射的照射源-CN201880018587.5有效
发明人： S·斯里瓦斯塔瓦;S·B·罗博尔;S·G·J·马西森;林楠;S·N·L·唐德斯;K·F·布斯特雷恩;P·W·斯摩奥伦堡;G·J·H·布鲁斯阿德 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了适合于高谐波产生(HHG)辐射源的气体输送系统，所述高谐波产生辐射源可以用于产生用于检查设备的测量辐射。在这样的辐射源中，气体输送元件在第一方向上输送气体。所述气体输送元件具有光学输入和光学输出，限定了在第二方向上延伸的光学路径。所述第一方向相对于所述第二方向以不垂直且不平行的角度来布置。也公开了一种具有气体射流成形装置的气体输送元件，或一对气体输送元件，其中的一个输送第二气体，使得所述气体射流成形装置或第二气体可操作以修改所述气体的流轮廓使得所述气体的数量密度急剧降低。
用于输送气体设备产生谐波辐射照射

[发明专利]对准衍射光学系统的方法和衍射光学元件-CN201880012492.2有效
发明人： S·B·罗博尔;S·G·J·马西森;S·M·B·鲍默 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种将待操作的衍射光学系统与操作束对准的方法，所述方法包括：使用具有与操作束不同的波长范围的对准束并使用被优化(552)以在同一(或预定的)方向上衍射对准束和操作束的衍射光学元件来对准(558)衍射光学系统。在示例中，所述对准束包括红外(IR)辐射，所述操作束包括软X射线(SXR)辐射。通过向衍射光学元件提供具有第一节距(pIR)的第一周期性结构和具有第二节距(pSXR)的第二周期性结构来优化所述衍射光学元件。在对准之后，抽空(562)真空系统并且在操作中，通过由IR对准束的光源泵浦的高次谐波产生(HHG)光源来产生(564)SXR操作束。
对准衍射光学系统方法光学元件

[发明专利]用于校正集成电路和关联设备的制造中的测量值的方法-CN202080088308.X在审
发明人： H-K·尼恩惠斯;T·J·克嫩;S·B·罗博尔;J·科塔尔;S·I·马萨瓦特;N·基鹏;S·C·斯科尔茨;C·L·波特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种量测方法。方法包括：将辐射照射到衬底上；获得与衬底上的一个或多个结构中的每个结构的至少一个测量值相关的测量数据；使用傅里叶相关变换将测量数据变换为经变换的测量数据；以及从经变换的测量数据提取衬底的特征或者消除妨害性参数的影响。
用于校正集成电路关联设备制造中的测量方法

[发明专利]确定周期性结构的边缘粗糙度参数-CN201880044452.6有效
发明人： T·J·克嫩;S·B·罗博尔;S·J·比杰尔斯马 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在一种确定周期性结构的边缘粗糙度参数的方法中，在检测设备中该周期性结构被照射(602)。照射辐射束可包括具有在1纳米至100纳米的范围内的波长的辐射。从辐射束获得散射信号(604)，该辐射束从该周期性结构散射。该散射信号包括散射强度信号，其通过检测该检测设备中的远场衍射图案的图像而获得。基于围绕非镜面衍射阶的该散射强度信号的分布来确定(606)边缘粗糙度参数，诸如线边缘粗糙度和/或线宽粗糙度。该确定可例如使用峰加宽模型来完成。
确定周期性结构边缘粗糙参数

[发明专利]光学检测器-CN201880047778.4有效
发明人： S·B·罗博尔;理查德·金塔尼利亚 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于检测被规则结构衍射的衍射辐射的检测器，所述检测器包括：传感器，其用于感测所述衍射辐射的至少一部分，所述传感器具有第一区和第二区；第一涂层，其被配置成允许波长在第一波长范围内的辐射透射；以及第二涂层，其被配置成允许波长在第二波长范围内的辐射透射；其中，所述第一涂层涂覆所述传感器的第一区，并且所述第二涂层涂覆所述感测器的第二区，并且其中，所述第一区和所述第二区是不同的区。
光学检测器

[发明专利]用于预测测量方法的性能的方法和设备、测量方法和设备-CN201880011277.0有效
发明人： S·G·J·马西森;S·B·罗博尔;林楠;W·M·J·M·柯恩;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：通过光刻过程在衬底(W)上形成诸如重叠光栅(Ta和Tb)之类的目标结构。用第一辐射(456a)的斑(Sa)照射第一目标，同时用第二辐射(456b)的斑(Sb)照射第二目标。传感器(418)在不同部位处检测所述第一辐射的已经被所述第一目标的特征在第一方向上衍射的部分(460x‑、460x+)，以及所述第二辐射的已经被所述第二目标的特征在第二方向上衍射的部分(460y‑、460y+)。可以同时检测X方向和Y方向上的不对称性，从而减少在X和Y上进行重叠测量所需的时间。可以简单地通过激励较高次谐波产生(HHG)辐射源或逆康普顿散射源中的两个部位(710a、710b)来产生软x‑射线波长的两个辐射的斑。
用于预测测量方法性能方法设备

[发明专利]光刻设备和用于执行测量的方法-CN201680082524.7有效
发明人： A·J·登鲍埃夫;S·G·J·马西森;林楠;S·B·罗博尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备具有检查设备，该检查设备具有利用波长为2‑40nm的照射辐射的照射系统。该照射系统包括光学元件，该光学元件将照射辐射分成第一和第二照射辐射，并将时间延迟引入至第一或第二照射辐射。检测器检测已经由目标结构散射的辐射。检查设备具有处理单元，所述处理单元可操作以控制所述第一散射辐射和所述第二散射辐射之间的时间延迟，以便优化所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的属性。
光刻设备用于执行测量方法

[发明专利]用于确定衬底上的结构的感兴趣的特性的量测设备与方法-CN201880084670.2在审
发明人： G·J·H·布鲁斯阿德;P·W·斯摩奥伦堡;T·J·克嫩;N·基鹏;P·D·范福尔斯特;S·B·罗博尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于确定衬底上的结构的感兴趣的特性的量测设备，所述结构具有衍射性质，所述设备包括：聚焦光学器件，所述聚焦光学器件被配置成将包括多个波长的照射辐射聚焦至所述结构上；第一检测器，所述第一检测器被配置成检测已从所述结构被衍射的照射辐射的至少一部分；和附加光学器件，所述附加光学器件被配置成在所述第一检测器的至少一部分上产生已从所述结构衍射的照射辐射的不同波长的依赖于波长的空间分布，其中所述第一检测器被布置成至少检测已从所述结构衍射的照射辐射的非零衍射阶。
用于确定衬底结构感兴趣特性设备方法

[发明专利]辐射源-CN201880015450.4在审
发明人：谢特·泰门·范德波斯特;S·B·罗博尔;帕维尔·叶夫图申科 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：辐射源布置引起泵浦辐射(340)与气态介质(406)之间的相互作用，以通过较高次谐波产生(HHG)来产生EUV或软x‑射线辐射。通过检测(420/430)由状态感测辐射与介质之间的相互作用产生的第三辐射(422)来监控辐射源布置的操作状态。状态感测辐射(740)可以与第一辐射相同，或者可以被单独地施加。第三辐射可以例如是状态感测辐射的被真空气体边界反射或散射的部分，或者它可以是HHG过程的较低次谐波、或荧光、或者被散射的。传感器可以包括一个或更多个图像检测器，以便可以分析第三辐射的空间强度分布和/或角分布。基于所确定的操作状态的反馈控制稳定了HHG源的操作。
辐射辐射源状态感测操作状态散射空间强度分布图像检测器泵浦辐射边界反射低次谐波反馈控制高次谐波气态介质射线辐射真空气体单独地角分布传感器荧光施加监控检测分析

[发明专利]用于检查设备的照射源、检查设备及检查方法-CN201780070048.1在审
发明人： S·B·罗博尔;S·G·J·马西森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：披露了一种照射源设备，包括高阶谐波产生介质(910)、泵浦辐射源以及空间滤光器(940)。该泵浦辐射源发射泵浦辐射束(950)，该泵浦辐射束具有在所述束的中心区中不包括泵浦辐射的轮廓且激发该高阶谐波产生介质以便产生高阶谐波辐射(920)。该泵浦辐射及所产生的高阶谐波辐射在该泵浦辐射束的焦平面之外是空间上分离的。该空间滤光器位于该泵浦辐射束的焦平面之外，且阻挡该泵浦辐射。还披露一种产生高阶谐波测量辐射的方法，该高阶谐波测量辐射被优化以用于将泵浦辐射从其中滤掉。
泵浦辐射高阶谐波辐射空间滤光器检查设备焦平面照射源泵浦测量辐射源发射辐射源中心区阻挡激发优化检查

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