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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]贯穿硅过孔的泄漏测量-CN201280044782.8在审
发明人： B·布霍瓦拉格汗;M·G·法罗库;E·金塞尔;S·萨洛普 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于贯穿衬底过孔的泄漏测量结构，包括：半导体衬底；半导体衬底中的基本上延伸贯穿半导体衬底的多个贯穿衬底过孔；和位于半导体衬底中的泄漏测量结构。该泄漏测量结构包含：延伸到半导体衬底中的多个衬底触点；与多个贯穿衬底过孔和多个衬底触点连接的多个感测电路，多个感测电路提供指示从多个贯穿衬底过孔的电流泄漏的多个输出；用于步进通过对多个贯穿衬底过孔的测试的内置自测试（BIST）引擎；和与BIST引擎耦合以接收来自多个感测电路的输出的存储器。还包括测试半导体衬底的方法。
贯穿泄漏测量

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