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[发明专利]多掺杂平板硅光学调制器-CN202111478317.2在审
发明人： S·卡里梅拉希;加藤正树 -专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本公开涉及多掺杂平板硅光学调制器。例如，一种具有改进带宽的硅光学调制器，包括在截面中具有肋结构的硅波导，在肋结构的两个相对侧分别连接到第一平板区域和第二平板区域。硅光学调制器还包括形成在肋结构中的PN结，其具有与第一平板区域接合的P型部分和与第二平板区域接合的N型部分。此外，硅光学调制器包括在以第一端部区域结束的第一平板区域中一个接一个形成的多个P型掺杂段以及在以第二端部区域结束的第二平板区域中一个接一个形成的多个N型掺杂段。多个P型或N型掺杂段被配置为针对远离肋结构的段增加掺杂水平。
掺杂平板光学调制器

[发明专利]改善硅光学调制器中调制效率的方法-CN202111509596.4在审
发明人： S·卡里梅拉希;加藤正树 -专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及改善硅光学调制器中调制效率的方法。一种用于形成具有改善的调制效率的硅光学调制器的方法。该方法包括：在SOI衬底中提供硅层；以及形成在硅层中具有肋结构的波导，该肋结构分别与一侧上的第一板形区域和相对侧上的第二板形区域接合，其中相应的板形厚度小于肋结构。该方法还包括在第一板形区域和第二板形区域的每一个中形成多重蚀刻区段，对于远离肋结构的部分，蚀刻深度减小。此外，该方法包括在具有中等P/N掺杂水平的肋结构中形成PN结。此外，该方法包括对第一/第二板形区域中的多重蚀刻区段分别掺杂P－型/N－型杂质，对于更远离肋结构的部分，掺杂增加。
改善光学调制器调制效率方法