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[发明专利]形成用于制造图案化结构的遮蔽壁的方法-CN202080100066.1在审
发明人： J·P·H·荣格;R·L·M·奥普·海特·维尔德 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种方法，包括：在衬底(11)上方形成第一掩模；通过选择性区域生长在第一掩模的开口中形成一个或多个遮蔽壁(18)；在衬底和遮蔽壁上方形成第二掩模(14)；通过选择性区域生长在第二掩模的开口中形成第二材料(16)；通过角度沉积在衬底、遮蔽壁和第二材料的部分上方沉积一层沉积材料(17)，由此被遮蔽壁所遮蔽的区域保持不被涂覆。在实施例中，第二材料可以是半导体并且沉积材料可以是超导体，并且该方法可用以形成用于引发马约拉纳零能模的一个或多个半导体‑超导体纳米线，以作为量子计算设备的一部分。
形成用于制造图案结构遮蔽方法

[发明专利]制造栅极的方法-CN202080099443.4在审
发明人： R·L·M·奥普·海特·维尔德;J·P·H·荣格;P·J·范维尔德霍芬 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：一种制造半导体‑超导体纳米线的方法，包括：在衬底(11)的沟槽上方形成具有第一开口的第一非晶掩模；通过选择性区域生长在第一开口中形成单晶导电材料(13)，从而在衬底的沟槽中形成纳米线(15、16)的栅极；在衬底(11)和栅极(13)上方形成第二掩模，第二掩模也是非晶的并且具有第二开口的图案；在第二开口中形成绝缘晶体缓冲层(15)；通过选择性区域生长在第二开口(15)中的缓冲层上形成晶体半导体材料(16)以形成纳米线的芯，其中栅极(13)在衬底(11)的平面中与芯(16)相交；以及在每个芯的至少部分上方形成超导材料涂层。
制造栅极方法