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[发明专利]改变蚀刻参数的方法-CN202111513976.5在审
发明人： R·J·F·范哈恩;V·E·卡拉多;L·P·范戴克;R·沃克曼;E·C·摩斯;J·S·威尔登伯格;M·乔詹姆森;B·拉贾塞克兰;E·詹森;A·J·乌尔班奇克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
改变蚀刻参数方法

[发明专利]改变蚀刻参数的方法-CN201780074864.X有效
发明人： R·J·F·范哈恩;V·E·卡拉多;L·P·范戴克;R·沃克曼;E·C·摩斯;J·S·威尔登伯格;M·乔詹姆森;B·拉贾塞克兰;E·詹森;A·J·乌尔班奇克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
改变蚀刻参数方法

[发明专利]用于性质联合插值和预测的设备和方法-CN201980090994.1在审
发明人： F·哈西毕;L·P·范戴克;M·拉兰纳加;A·伊普玛;R·J·F·范哈恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：根据本公开的一个方面，提供了一种用于预测与产品单元相关联的性质的方法。所述方法可以包括：获得多个数据集，其中所述多个数据集中的每一个数据集包括与参数的跨越所述产品单元的空间分布相关联的数据；将所述多个数据集中的每一个数据集表示为多维对象；获得利用先前获得的多维对象和先前产品单元的性质所训练的卷积神经网络模型；以及将卷积神经网络模型应用于表示多个数据集的多个多维对象，以预测与产品单元相关联的性质。
用于性质联合预测设备方法

[发明专利]基于局部电场来调整图案化过程的模型中的目标特征的方法-CN201980081031.5在审
发明人： R·J·F·范哈恩;L·P·范戴克;O·伊尔迪里姆;O·J·P·毛拉尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了基于针对所述图案化过程而估计的局部电场来调整所述图案化过程的模型中的目标特征的方法。所述方法包括获得所关注的掩模叠层区域。所述掩模叠层区域具有与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性。所关注的掩模叠层区域包括所述目标特征。所述方法包括基于与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性来估计局部电场。所述局部电场是针对所关注的掩模叠层区域的邻近于所述目标特征的一部分而估计的。所述方法包括基于所述估计的局部电场来调整所述目标特征。
基于局部电场调整图案过程模型中的目标特征方法

[发明专利]量测设备-CN201980054344.1在审
发明人： L·P·范戴克;R·J·F·范哈恩;S·辛格;I·马拉克霍夫斯基;R·H·J·奥腾;A·辛格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于确定跨越包括多个经图案化区的衬底的平面内变形(IPD)的方法和设备。所述方法包括：获得指示跨越所述多个经图案化区中的一个图案化区的局部应力分布的区内数据；基于所述区内数据来确定指示跨越所述衬底的全局应力分布的区间数据；以及基于所述区间数据来确定跨越所述衬底的所述IPD。
设备

[发明专利]用于控制工业过程的方法和设备-CN201680072108.9有效
发明人： A·伊普玛;D·F·S·德克尔;F·G·C·比基恩;R·J·F·范哈恩;寇伟田 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：在光刻过程中，在不同的上下文中处理一系列晶片(W(i))。接收物体数据(ODAT/PDAT)，该物体数据可以是例如表示针对之前已经处理的晶片的集合所测量的重叠的性能数据(PDAT)。上下文数据(CDAT)表示在所述集合内的晶片之间变化的光刻过程的参数。通过该性能数据的主分量分析或其它统计分析(410)，晶片的集合分割成两个或更多个子集(412)。使用晶片的第一分割和上下文数据(414)来识别一个或更多个相关的上下文参数(418)，该上下文参数是被观察为与第一分割最强地相关的光刻过程的参数。通过参考已识别的相关的上下文参数针对于新晶片控制光刻设备(400)。描述了具有反馈控制和前馈控制的实施例。
用于控制工业过程方法设备

[发明专利]产生用于控制或监控生产过程的所预测的数据-CN201780084076.9在审
发明人： A·伊普玛;D·格科鲁;G·齐萝扬尼斯;托马斯·利奥·玛丽亚·胡根鲍姆;R·J·F·范哈恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明产生用于控制或监控生产过程以改进感兴趣的参数的所预测的数据。获得与所述生产过程(504)的操作相关联的情境数据(502)。对所述生产过程(504)的产品(506)执行量测/测试(508)，由此获得性能数据(510)。提供情境对性能的模型以基于用性能数据对所述情境数据(502)进行标记来产生所预测的性能数据(526)。这为半监督学习的示例。该情境对性能的模型包括执行半监督标记的学习机器(522)。使用与该情境数据和/或该性能数据的品质相关的预测信息来修改该情境对性能的模型。预测信息可以包括相关性信息，该相关性信息与该所获得的情境数据和/或该所获得的性能数据与该感兴趣的参数的相关性相关。该预测信息可以包括与所述所预测的性能数据的不确定性相关的模型不确定性信息。
性能数据情境数据生产过程预测信息预测不确定性半监督学习学习机器半监督监控量测测试关联改进

[发明专利]目标布置的优化和相关的目标-CN201580009522.0有效
发明人： H·W·M·范布尔;J·M·M·拜欧特曼;柳星兰;H·J·H·斯米尔蒂;R·J·F·范哈恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种设计目标布置的方法，以及相关的目标和掩模版。所述目标包括多个光栅，每个光栅包括多个子结构。所述方法包括步骤：定义目标区域；将所述子结构定位在所述目标区域内，以便形成所述光栅；和在所述光栅周边处定位辅助特征，所述辅助特征配置成减小在所述光栅周边处的被测量的强度峰。所述方法可以包括优化过程，所述优化过程包括对通过使用量测过程检验所述目标而获得的所形成的图像进行模型化；和评价所述目标布置是否被针对于使用量测过程的检测进行优化。
目标布置优化相关

[发明专利]将图案应用至衬底的方法、器件制造方法以及用于这些方法的光刻设备-CN201210359532.5有效
发明人： S·C·T·范德山登;R·J·F·范哈恩;H·J·G·西蒙斯;R·D·M·埃德阿特;魏秀虹;M·库比斯;I·里尤利纳 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了将图案应用至衬底的方法、器件制造方法以及用于这些方法的光刻设备。衬底被装载到光刻设备的衬底支撑结构上，之后设备测量衬底对准标记的位置。这些测量限定第一校正信息，由此允许设备在衬底上的一个或更多个期望的位置应用图案。使用附加的第二校正信息增强图案定位精确度，尤其是校正名义对准格子的较高阶变形。第二校正信息可以基于在应用先前的图案至相同衬底时所执行的对准标记的位置测量。第二校正信息可以替代地或附加地基于在当前衬底之前已经被图案化的相似衬底上执行的测量。
图案应用衬底方法器件制造以及用于这些光刻设备

[发明专利]用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法-CN201010190488.0无效
发明人： M·A·多特柴沃;M·杜萨;R·J·F·范哈恩;H·西韦尔;R·W·范德赫杰登 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法。在所述方法中，包括至少一个对准标记的第一抗蚀剂层形成在衬底上。在对第一抗蚀剂层进行显影之后，第二抗蚀剂层沉积到第一抗蚀剂层上，从而产生平坦的顶表面(即没有拓扑)。通过适当地焙烤第二抗蚀剂层，对称的对准标记形成在第二抗蚀剂层中，且与第一抗蚀剂中的对准标记有小的偏置误差或没有偏置误差。可以通过适当地调整所述第一和第二抗蚀剂层的各自的厚度、涂覆工艺参数和焙烤工艺参数来改善第二抗蚀剂中形成的对准标记的对称性。
用于双重图案光刻工艺提供抗蚀剂对准标记设备方法

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