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[发明专利]包括形成有凹槽的封装体本体的半导体封装体-CN202310251408.5在审
发明人：方炽胜;张俐芳;Y·B·达里尔姚;E·菲尔古特;邱美芬;A·卡西姆;R·奥特伦巴;B·施默尔泽;陈运娴;王莉双 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装体包括封装体本体，所述封装体本体包括第一主表面、相反的第二主表面及在两个主表面之间延伸的侧表面。半导体封装体还包括包封在封装体本体中的第一裸片焊盘。半导体封装体还包括包封在所述封装体本体中的第二裸片焊盘。半导体封装体还包括包封在所述封装体本体中并且布置在第一裸片焊盘上的第一半导体芯片和包封在所述封装体本体中并且布置在第二裸片焊盘上的第二半导体芯片。半导体封装体还包括至少一个引线。半导体封装体还包括第一凹槽，所述第一凹槽布置在所述第一裸片焊盘与所述第二裸片焊盘之间。半导体封装体还包括第二凹槽，所述第二凹槽布置在至少一个引线与第一裸片焊盘和第二裸片焊盘中的至少一个之间。
包括形成凹槽封装本体半导体

[发明专利]多封装顶侧冷却-CN201910232330.6有效
发明人： R·奥特伦巴;U·基希纳;M-A·库查克;K·席斯;B·施默尔泽 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：一种功率半导体装置包括载体和多个封装。每个封装：包封功率半导体管芯，其中管芯具有第一负载端子和第二负载端子，并配置为阻挡施加在负载端子之间的阻断电压并在负载端子之间传导管芯负载电流；具有封装主体，其具有封装顶侧、封装覆盖区侧和封装侧壁，封装侧壁从封装覆盖区侧延伸到封装顶侧；引线框架结构，其配置为将封装电气地和机械地耦合到载体，其中封装覆盖区侧面向载体，引线框架结构包括与管芯的第一负载端子电连接的至少一个第一外部端子；顶层，其设置在封装顶侧，并与管芯的第二负载端子电连接。功率半导体装置包括顶部散热器。顶部散热器附接到封装的每个顶层，与封装的每个顶层电接触，且配置为至少传导管芯负载电流的总和。
封装冷却

[发明专利]半导体芯片及其形成方法、芯片系统及其形成方法-CN202310071179.9在审
发明人： H·庄;O·布兰克;P·A·卡洛;M·丁克尔;J·霍格劳尔;D·赫茨尔;林维安;G·T·内鲍尔;R·奥特伦巴;M·普埃尔兹;沈盈博;X·施勒格尔;陈志文;H·B·泰奥 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体芯片。所述半导体芯片可以包括：正面，其包括控制芯片触点和第一受控芯片触点；背面，其包括第二受控芯片触点；背面金属化部，其形成在所述背面之上并且与所述第二受控芯片触点接触；以及至少部分地沿着所述背面的外边缘在所述背面金属化部的接触部分和所述背面的外边缘之间延伸的止挡区域，其中，所述接触部分被配置成通过裸片附接材料附接到导电结构，其中，所述止挡区域的表面相对于所述接触部分的表面凹陷，和/或所述止挡区域的表面相对于所述裸片附接材料具有比所述接触部分更低的可润湿性。
半导体芯片及其形成方法系统

[发明专利]将导体焊接到铝金属化物-CN201810856761.5有效
发明人： A·海因里希;李五湖;R·奥特伦巴;W·赖斯;E·里德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种将导体焊接到铝金属化物的方法包括：用替代金属氧化物层或替代金属合金氧化物层替代所述铝金属化物上的铝氧化物层。然后，至少部分地还原所述替代金属氧化物层中的或所述替代金属合金氧化物层中的替代金属氧化物。使用焊料材料将所述导体焊接到所述铝金属化物。
导体焊接金属化

[发明专利]用于保持在低温恒温器中的基板上安装的离子阱装置的低温恒温器插座-CN202211516932.2在审
发明人： G·洛曼;R·奥特伦巴;J·霍格劳尔;C·罗斯勒;S·K·奥赫特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：一种用于保持在低温恒温器中的基板上安装的离子阱装置的低温恒温器插座包括被提供用于在低温恒温器中的预先组装的壳体框。在壳体框中布置弹簧销插入件。弹簧销插入件包括基板和弹性地容纳在基板中的接触销。接触销布置成阵列。壳体盖具有用于基板的容座，其中，壳体盖在与壳体框组装时在基板的前侧上施加压缩力，基板的后侧通过该压缩力被压到接触销上。
用于保持低温恒温器中的基板上安装离子装置插座

[发明专利]具有顶侧冷却部的SMD封装-CN201811049780.3有效
发明人： R·奥特伦巴;A·A·胡德;T·S·李;X·施勒格尔;B·施默尔泽 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种封装，包封功率半导体管芯并具有封装主体，封装主体具有封装顶侧、封装覆盖区侧和封装侧壁，封装侧壁从封装覆盖区侧延伸到封装顶侧，其中管芯具有第一和第二负载端子且被配置为阻挡施加在所述负载端子之间的阻断电压，其中封装包括：被配置为将封装电气和机械地耦合到支撑件的引线框架结构，其中封装覆盖区侧面向支撑件，引线框架结构包括至少一个第一外部端子；顶层，布置在封装顶侧并与管芯的第二负载端子电连接，其中至少一个第一外部端子的电位与顶层的电位之间的爬电长度由封装主体表面轮廓限定，表面轮廓至少由封装顶侧和封装侧壁形成；至少一个结构特征，也形成表面轮廓并配置为增加爬电长度。
具有冷却 smd 封装

[发明专利]芯片封装体、半导体装置以及它们的形成方法-CN202111444343.3在审
发明人：颜台棋;S·K·穆鲁甘;R·奥特伦巴 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：提供了一种包括半导体芯片的芯片封装体。芯片封装体可以包括：至少部分围绕半导体芯片的封装材料，其中，开口从封装材料的顶表面延伸到芯片和/或接触芯片的电接触结构；和在开口中的导热材料，其中，导热材料被配置为将热量从芯片传递到外部；其中，导热材料至少部分地在封装材料的顶表面之上侧向延伸。
芯片封装半导体装置以及它们形成方法

[发明专利]具有在任一侧到器件的电通路的多器件半导体芯片-CN202111330663.6在审
发明人： E·菲尔古特;P·弗里德里希斯;R·奥特伦巴;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体芯片，包括：具有主表面和与主表面相对的后表面的半导体主体；设置在主表面上的第一接合焊盘；设置在后表面上的第二接合焊盘；第一开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第一接合焊盘的第一输入‑输出端子；以及第二开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第二接合焊盘的第一输入‑输出端子。
具有在任一侧器件通路半导体芯片

[发明专利]具有双集成散热器的模制半导体封装-CN202111338756.3在审
发明人：蔡柔燕;E·菲尔古特;R·奥特伦巴 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：一种模制半导体封装包括：嵌入模制化合物中的半导体管芯；部分地嵌入模制化合物并且热耦接到半导体管芯的第一侧的第一散热器；以及部分地嵌入模制化合物并且热耦接到半导体管芯的与第一侧相对的第二侧的第二散热器。第一散热器包括从第一散热器的未被模制化合物覆盖的一侧突出并且背离半导体管芯的至少一个散热结构。所述模制化合物被配置成在平行于所述半导体管芯的所述第一侧的方向上在所述至少一个散热结构上方输送流体。还描述了对应的生产方法和电子组件。
具有集成散热器半导体封装

[发明专利]用于间隔封装体的载体的线性间隔件-CN202111323132.4在审
发明人： E·菲尔古特;方炽胜;李德森;R·奥特伦巴;D·佩多内;B·施默尔泽 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种用于安装在安装基座(102)上的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括载体(106)、安装在所述载体(106)上的电子元件(108)、与所述电子元件(108)电耦合并待与所述安装基座(102)电耦合的引线(110)、以及用于限定相对于所述载体(106)的间距的线性间隔件(112)。
用于间隔封装载体线性

[发明专利]具有带有焊盘偏移特征的芯片载体的半导体封装-CN202111141251.8在审
发明人：黄志洋;E·菲尔古特;颜台棋;吕志鸿;J·纳拉亚纳萨米;R·奥特伦巴;S·韦策尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及具有带有焊盘偏移特征的芯片载体的半导体封装。一种半导体封装包括：载体，具有电绝缘主体和在电绝缘主体的第一侧处的第一接触结构；以及半导体管芯，具有附接到载体的第一接触结构的第一焊盘，第一焊盘处于源极或发射极电位。第一焊盘与半导体管芯的边缘向内隔开第一距离。半导体管芯具有在边缘和第一焊盘之间的边缘终止区域。载体的第一接触结构与半导体管芯的边缘向内隔开大于第一距离的第二距离，使得在半导体管芯的正常操作期间在载体的方向上从边缘终止区域发出的电场不会到达载体的第一接触结构。还提供了制造方法。
具有带有偏移特征芯片载体半导体封装

[发明专利]含与半导体裸片接触焊盘连接的侧壁的半导体器件封装体-CN202110876597.6在审
发明人： P·帕尔姆;U·弗雷勒;R·奥特伦巴;A·里格勒尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体器件封装体(100)包括：印刷电路板(10)，其包括第一中心区域、第二侧向区域和第三侧向区域；半导体裸片(20)，其包括第一主面、与第一主面相反的第二主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘(20A)和设置在第二主面上的第二接触焊盘(20B)，半导体裸片(20)设置在印刷电路板(10)的第一中心区域中；半导体器件封装体的第一金属侧壁(30)，其设置在印刷电路板(10)的第二侧向区域中；半导体器件封装体的第二金属侧壁(40)，其设置在印刷电路板(10)的第三侧向区域中；其中，第一金属侧壁(30)和第二金属侧壁(40)中的至少一个与半导体裸片(20)的第一接触焊盘(20A)和第二接触焊盘(20B)中的一个电连接。
半导体接触连接侧壁半导体器件封装

[发明专利]功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法-CN202110053182.9在审
发明人： R·奥特伦巴;G·郎格尔;P·弗兰克;A·海因里希;A·卢德施特克-佩希洛夫;D·佩多内 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC功率半导体器件，其包括：包括SiC和金属化层的功率半导体管芯，其中，金属化层包括第一金属；管芯载体，其中，功率半导体管芯布置在管芯载体之上，使得金属化层面对管芯载体，管芯载体至少部分地由包括Ni的镀覆部覆盖；以及第一金属间化合物，该第一金属间化合物布置在功率半导体管芯和镀覆部之间并且包括Ni3Sn4。
功率半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体裸片和夹用不同的连接方法制造半导体器件的方法-CN202011408187.0在审
发明人： R·奥特伦巴;方炽胜;蔡柔燕;李德森;烈慧君;段珂颜;王莉双;王伟姗 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体器件(10)包括：载体(11)；第一外部电接触部(12)和第二外部电接触部(13)；半导体裸片(14)，其包括第一主面、与第一主面相反的第二主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘(14.1)、设置在第二主面上的第二接触焊盘(14.2)以及设置在第二主面上的第三接触焊盘(14.3)，其中，半导体裸片(14)包括垂直晶体管并以其第一主面设置在载体(11)上；夹(15)，其将第二接触焊盘(14.2)连接到第二外部电接触部(13)；和第一焊线(16)，其与第一外部电接触部(12)连接，其中，第一焊线(16)连接在第三接触焊盘(14.3)与第一外部电接触部(12)之间，第一焊线(16)至少部分地设置在夹(15)下方。
半导体不同连接方法制造半导体器件

[发明专利]半导体封装和用于制造半导体封装的方法-CN202011167240.2在审
发明人： R·奥特伦巴;P·弗兰克;A·海因里希;A·卢德施特克-佩希洛夫;D·佩多内 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种半导体封装，包括：包括SiC的功率半导体芯片；包括Cu的引线框部分，其中，功率半导体芯片布置在引线框部分上；以及将功率半导体芯片电和机械地耦合到引线框部分的焊接接合部，其中，焊接接合部包括至少一种金属间相。
半导体封装用于制造方法

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