专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]纳米级光刻-CN201180050104.8无效
  • P-F·傅;L·J·郭;E·S·莫耶;卡洛斯·碧娜-赫尔南德 - 道康宁公司;密歇根大学董事会
  • 2011-11-07 - 2013-07-24 - G03F7/00
  • 本发明描述了一种简单而实用的方法,可减小带有表面羟基基团的图案化结构的特征尺寸。可通过任何图案化技术获得所述图案化结构,所述图案化技术包括光刻、电子束微影技术、纳米压印光刻等。所述方法包括:(1)通过优选地为环状化合物的胺试剂的所述处理,将所述富含羟基或硅烷醇的表面初始转换为富含胺的表面;(2)在所述图案化结构的所述顶部涂覆环氧化物材料;(3)在通过表面引发的聚合施加热时形成额外层;(4)施加胺偶联剂来重新生成所述富含胺的表面;(5)在所述图案化结构的所述顶部涂覆环氧化物材料来形成所述下个层;(6)重复步骤4和5来形成多个层;该方法可实现传统光刻方法难以实现的所述各种图案和接触孔的特征尺寸的制造。
  • 纳米光刻
  • [发明专利]倍半硅氧烷树脂-CN200980107733.2有效
  • P-F·傅;E·S·梅尔 - 陶氏康宁公司
  • 2009-02-03 - 2011-02-09 - C08G77/38
  • 本发明涉及可用于抗反射涂层的倍半硅氧烷树脂,其中所述倍半硅氧烷树脂由以下单元组成(Ph(CH2)rSiO(3-x)/2(OR′)x)m(HSiO(3-x)/2(OR′)x)n(MeSiO(3-x)/2(OR′)x)o(RSiO(3-x)/2(OR′)x)p(R1SiO(3-x)/2(OR′)x)q其中Ph是苯基,Me是甲基;R′是氢原子或具有1至4个碳原子的烃基;R选自羟基产生基;R1选自取代的苯基、酯基、聚醚基、巯基、和反应性或可固化的有机官能团;r为0,1,2,3或4;x为0,1或2;其中在树脂中m为0至0.95;n为0.05至0.95;o为0.05至0.95;p为0.05至0.5;q为0至0.5;并且m+n+o+p+q≈1。
  • 倍半硅氧烷树脂

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