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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]采用硅化合物进行的含硅层沉积-CN200380101414.3有效
发明人： K·K·辛格;P·B·科米塔;L·A·斯卡德;D·K·卡尔森 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2003-10-20 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明的实施方式一般地提供了硅化合物的组合物和采用该硅化合物沉积含硅膜的方法。该方法利用将硅化合物引入到衬底表面并沉积部分硅化合物，即硅主结构而成为含硅膜。配体是硅化合物的其它部分，其作为原位蚀刻剂而释放出来。该原位蚀刻剂支持选择性的硅外延生长。硅化合物包括SiRX₆、Si₂RX₆、Si₂RX₈，其中X独立地为氢或卤素，R为碳、硅或锗。硅化合物也包括含有三个硅原子，选自碳、硅或锗的第四个原子，和选自氢或卤素且至少一个为卤素的多个原子的化合物，并且含有四个硅原子，选自碳、硅或锗的第五个原子，和选自氢或卤素且至少一个为卤素的多个原子的化合物。
采用化合物进行含硅层沉积

[发明专利]沉积氧化膜的装置和方法-CN200380101492.3无效
发明人： R·N·安德森;P·B·科米塔;A·瓦尔德豪尔;N·B·赖利 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2003-10-08 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了沉积氧化膜的装置和方法。该方法包括采用含有硅源气体、氧气和氢气的处理气体混合物，在800－1300℃的处理温度下在衬底上沉积氧化膜。在氧化膜沉积期间，处理气体混合物中含有6％以下的氧气、硅气体和主要的氢气。
沉积氧化装置方法

[发明专利]用于与发射率无关的热处理的背面加热腔室-CN02829943.4无效
发明人： A·V·萨莫依洛夫;D·R·杜波依斯;L·A·斯卡德;P·B·科米塔;L·D·华盛顿;D·K·卡尔森;R·N·安德森 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2002-11-22 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种设备，其包括：一反射镜，该反射镜具有面向下的镜面表面；一位于该反射镜下面的玻璃结构，在该玻璃结构内有一基座，该基座具有面向上的表面，其能够夹持要被处理的部件，且一个或多个辐射热源指向并位于玻璃结构的下面。
用于发射无关热处理背面加热

[发明专利]校准和使用半导体处理系统的方法-CN03803764.5无效
发明人： J·R·瓦图斯;D·K·卡尔森;A·V·萨莫伊洛夫;L·A·斯卡德;P·B·科米塔;A·A·卡尔帕蒂 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2003-02-12 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种避免高温计温度读取错误的方法。上部高温计用于检测来自在标准处理条件下形成在测试基底上的测试层的红外辐射。来自测试层的红外辐射具有周期，该周期的长度表示该层的生长速率。该周期一般与生长速率成反比。则生长速率直接与温度有关。
校准使用半导体处理系统方法

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共 4 条

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