专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]原子层沉积光刻技术-CN201380009300.X无效
  • B·吴;A·库玛;O·那拉玛苏 - 应用材料公司
  • 2013-01-24 - 2014-10-22 - H01L21/027
  • 在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。在一个实施例中,在器件中的材料层上形成特征的方法包括以下步骤:脉冲第一反应剂气体混合物至设置于处理腔室中的基板的表面以在基板表面上形成材料层的第一单层、引导高能辐射以处理第一单层的第一区,及脉冲第二反应剂气体混合物至基板表面以选择性地在第一单层的第二区上形成第二单层。
  • 原子沉积光刻技术
  • [其他]基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备-CN201090000947.8有效
  • O·那拉玛苏;C·盖伊;V·L·普施帕拉吉;K·K·辛格;R·J·维瑟;M·A·孚德;R·霍夫曼 - 应用材料公司
  • 2010-06-09 - 2013-03-27 - H01L31/042
  • 本实用新型涉及基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备。太阳能电池中设有碳纳米管(CNT),这些碳纳米管用于:界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸;及/或做为电荷传输体,以有效地从吸收层移除电荷载流子以减少吸收层中的电子空穴复合速率。太阳能电池可包含:基材;多个在该基材的该表面上的金属催化剂的区域;多个碳纳米管束状物,形成于该多个金属催化剂的区域上,每一束状物包括大略垂直于该基材的该表面而呈对准的碳纳米管;以及光活性太阳能电池层,形成于这些碳纳米管束状物及该基材的暴露表面上,其中该光活性太阳能电池层在这些碳纳米管束状物上及该基材的该暴露表面上为连续的。光活性太阳能电池层可包含非晶硅p/i/n薄膜;然而,本实用新型的概念亦可应用至具有微晶硅、SiGe、碳掺杂微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各种p型二六族二元化合物以及三元与四元化合物的吸收层的太阳能电池。
  • 基于纳米太阳能电池形成设备

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