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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体管沟道区域界面的钝化-CN201580083331.9有效
发明人： G.A.格拉斯;M.R.布拉齐尔;A.S.墨菲;T.加尼;O.Y.洛 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了用于钝化晶体管沟道区域界面的技术。在一些情况下，待钝化的晶体管沟道区域界面包含半导体沟道与栅极电介质之间的界面和/或子沟道半导体材料与隔离材料之间的界面。例如，可以使用氧化铝（也被称为矾土）层来钝化其中沟道材料包含硅锗、锗或III‑V材料的沟道/栅极界面。该技术能够用于降低沟道/栅极界面处的界面陷阱密度，并且该技术还能够用于在栅极最先工艺流程和栅极最后工艺流程两者中钝化沟道/栅极界面。该技术还可以包含在子沟道/隔离界面处的附加钝化层，以例如避免招致附加的寄生电容代价。
晶体管沟道区域界面钝化

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