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[发明专利]虚拟接地阵列的自动对准硅化栅-CN02819075.0无效
发明人： M·T·拉姆斯比;Y·孙;C·张 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明揭露在虚拟接地阵列闪存组件中对字符线(20)掺杂和自动对准硅化的制程，而不会引起位线(26)之间的短路。根据本发明的一实施型态，在对多层进行线路制版之前，掺入杂质至字符线(20)，经由该多层，字符线(20)形成于该核心区域内。藉此，该多层会保护字符线(20)之间的基板不会被掺杂，如果被掺杂，就会引起位线(26)之间的短路。根据本发明的另一实施型态，字符线(20)会曝露出来同时在字符线(20)之间的基板会被区隔材料、介电质、等的材料所保护。该区隔材料、或介电质会防止基板以如同掺杂，也就是会造成位线(26)之间的短路的方式来自动对准硅化。本发明所揭露的是具有掺杂和自动对准硅化字符线(20)的虚拟接地阵列闪存组件，而在位线(26)之间不会造成短路，即使在位线(26)之间没有氧化岛隔离区域(28)的虚拟接地阵列中，也不会有短路发生。
虚拟接地阵列自动对准硅化栅

[发明专利]在SONOS闪存中的双倍密度核心栅极-CN02819283.4有效
发明人： Y·孙;M·A·范布斯科克;M·T·拉姆斯比 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2002-09-30 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种形成非挥发性半导体内存装置的方法，包括在基板(12)的上方形成电荷捕捉介电质(114)；于核心区域中在该电荷捕捉介电质(114)的上方形成第一组存储单元栅极(116)；在该第一组存储单元栅极(116)的周围形成一致的绝缘材料层(118)；以及在该核心区域中形成第二组存储单元栅极(122)，其中该第二组存储单元栅极(122)的每一个存储单元栅极相邻于该第一组存储单元栅极(116)的至少其中一个存储单元栅极，该第一组存储单元栅极(116)的每一个存储单元栅极相邻于该第二组存储单元栅极(122)的至少其中一个存储单元栅极，以及该一致的绝缘材料层(118)置于已揭示的各个相邻的存储单元栅极之间。
sonos 闪存中的双倍密度核心栅极