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[发明专利]纳米级扫描传感器-CN201910017535.2在审
发明人： M·S·格瑞诺德斯;洪晟根;P·梅勒丁斯基;A·亚考贝 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01N24/10 文献下载
摘要：本公开涉及纳米级扫描传感器。感测探头可以由包括一个或多个自旋缺陷的金刚石材料形成，所述自旋缺陷被构造为发射荧光，并且位于离感测探头的感测表面不超过50nm。感测探头可以包括光学解耦结构，所述光学解耦结构由所述金刚石材料形成，并且被构造为光学地将所述荧光引向光学解耦结构的输出端。光学探测器可以探测所述荧光，所述荧光从自旋缺陷发射，并且在被光学地引导通过光学解耦结构的输出端之后通过光学解耦结构的输出端出射。安装系统可以保持感测探头，并且在允许感测探头的感测表面与采样的表面之间的相对运动的同时控制感测表面与样本表面之间的距离。
感测探头光学解感测表面输出端荧光自旋金刚石材料扫描传感器纳米级光学探测器安装系统发射荧光样本表面采样出射探测发射

[发明专利]纳米级扫描传感器-CN201380044035.9在审
发明人： M·S·格瑞诺德斯;洪晟根;P·梅勒丁斯基;A·亚考贝 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G01Q60/54 文献下载
摘要：感测探头可以由包括一个或多个自旋缺陷的金刚石材料形成，所述自旋缺陷被构造为发射荧光，并且位于离感测探头的感测表面不超过50nm。感测探头可以包括光学解耦结构，所述光学解耦结构由所述金刚石材料形成，并且被构造为光学地将所述荧光引向光学解耦结构的输出端。光学探测器可以探测所述荧光，所述荧光从自旋缺陷发射，并且在被光学地引导通过光学解耦结构的输出端之后通过光学解耦结构的输出端出射。安装系统可以保持感测探头，并且在允许感测探头的感测表面与采样的表面之间的相对运动的同时控制感测表面与样本表面之间的距离。
纳米扫描传感器