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[发明专利]自动化手部-CN202211355186.3在审
发明人： A·R·伯吉斯;C·R·G·理查兹;D·J·贝斯特;D·N·洛夫格罗夫;R·H·道森;M·J·范德韦夫;M·S·扬 -专利权人：第五元素有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： A61F2/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种自动化手部，所述自动化手部具有用于安装手指连接器的布置，使得所述连接器可在力施加至手指时旋转。所述布置可包括刚性安装件和弹性可变性套筒，其中所述连接器处于所述套筒内。所述自动化手部可与触摸屏兼容。所述自动化手部可具有用于使手指旋转的蜗杆驱动件，所述蜗杆驱动件包括轴承，所述轴承配置成在两个方向上抵抗轴向负荷。所述自动化手部可具有拇指，所述拇指具有辅助支撑件。可提供捕捉器以限制手指在负荷条件下的枢转。腕部可夹持至所述手部，可释放地电气联接至所述手部，可针对旋转进行锁定，并且可包括弹性可变性件。还可向自动化手部提供覆盖物。所述覆盖物可包括针织本体和结构支架。
自动化

[外观设计]模拟手-CN202230253968.0有效
发明人： D·N·洛夫格罗夫;R·H·道森;M·S·扬;M·J·范德韦夫;D·J·贝斯特;J·A·斯克格斯;C·R·G·理查兹;A·R·伯吉斯 -专利权人：第五元素有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： 24-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：模拟手。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品为用于医疗领域的仿型手，用作残疾患者的义肢以协助患者完成日常生活中的常规操作或用作研究工具来为医疗研发提供必要协助。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
模拟

[发明专利]假体联接器、接受腔联接器、旋转连接器芯和柔性安装元件-CN202180018614.0在审
发明人： R·H·道森;M·J·朱里;D·N·洛夫格罗夫;M·J·范德韦夫;M·S·扬 -专利权人：第五元素有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： A61F2/58 文献下载
摘要：一种用于假体的可旋转和可拆卸的腕部连接件。一种假体联接器，包括第一滚珠座圈部分和第二滚珠座圈部分，它们可以移动到一起或分开，以将滚珠轴承约束到内部区域或外部区域，从而允许假体联接器固定到接受腔联接器或从套筒联接器移除。一种接受腔联接器，包括用于接收腕部联接器的接受腔主体，该腕部联接器具有从接受腔主体延伸并柔性地安装到接受腔主体的旋转连接器芯。
联接器接受旋转连接器柔性安装元件

[发明专利]低腐蚀坑密度（EPD）半绝缘Ⅲ-Ⅴ晶片-CN200880024243.1无效
发明人：刘卫国;M·S·扬;M·H·巴达维 -专利权人： AXT公司
申请日： 2008-05-09 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：公开了使用一种低EPD晶体生长方法制备晶片的系统和方法，并提供一种晶片退火方法，以形成III-V/GaAs晶片，提高由晶片制得的器件的产率。在一个示例性实施方式中，提供了一种制备具有低腐蚀坑密度(EPD)的III族基材料的方法。此外，该方法包括形成多晶III族基化合物；和使用所述多晶III族基化合物进行垂直梯度凝固晶体生长。其他的示例性的实施方式可以包括在形成III族基晶体期间，控制一个或多个温度梯度，以提供非常低的腐蚀坑密度。
腐蚀密度 epd 绝缘晶片

[发明专利]制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品-CN200810000938.8有效
发明人： W·刘;M·S·扬;M·H·巴达维 -专利权人： AXT公司
申请日： 2008-01-08 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品，所述方法包含以下步骤：形成多晶镓基化合物；利用所述多晶镓基化合物进行垂直梯度凝固晶体生长，其中所述镓基晶体具有每平方厘米小于900的腐蚀坑密度。进一步地，本发明提供一种利用低腐蚀坑密度(EPD)晶体生长处理和晶片退火处理制造晶片的方法，通过其得到GaAs/InGaP晶片，从该等晶片中可获得较高的器件产量。
制造腐蚀密度绝缘砷化镓晶片方法及其产品