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[发明专利]实现30微米或更低间距EMIB的新方法-CN202211237280.9在审
发明人：冯红霞;D·D·徐;S·C·李;M·L·廷吉;M·焦;C·K·C·谭 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开的实施例公开了用于实现30微米或更低间距EMIB的封装组件的技术和配置。一种封装衬底包括：包括位于其中的电布线特征和表面层的衬底主体以及位于所述表面层上的分别包括第一间距和第二间距的多个第一和第二接触点，其中，所述多个第一接触点和所述多个第二接触点是通往所述电布线特征中的相应电布线特征的连续柱。一种封装组件包括封装衬底。一种方法包括：在封装组件中形成第一导电过孔，其中，所述第一导电过孔包括通往封装衬底中的电布线特征的衬底导电过孔和通往桥衬底的桥表面布线特征的桥导电过孔；在封装衬底上形成第一表面层和第二表面层；以及穿过所述第一表面层和第二表面层中的每者形成通往所述桥导电过孔的第二导电过孔。
实现 30 微米间距 emib 新方法

[发明专利]实现30微米或更低间距EMIB的新方法-CN201810630483.1在审
发明人：冯红霞;D·D·徐;S·C·李;M·L·廷吉;M·焦;C·K·C·谭 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开的实施例公开了用于实现30微米或更低间距EMIB的封装组件的技术和配置。一种封装衬底包括：包括位于其中的电布线特征和表面层的衬底主体以及位于所述表面层上的分别包括第一间距和第二间距的多个第一和第二接触点，其中，所述多个第一接触点和所述多个第二接触点是通往所述电布线特征中的相应电布线特征的连续柱。一种封装组件包括封装衬底。一种方法包括：在封装组件中形成第一导电过孔，其中，所述第一导电过孔包括通往封装衬底中的电布线特征的衬底导电过孔和通往桥衬底的桥表面布线特征的桥导电过孔；在封装衬底上形成第一表面层和第二表面层；以及穿过所述第一表面层和第二表面层中的每者形成通往所述桥导电过孔的第二导电过孔。
导电过孔电布线封装组件接触点第二表面第一表面表面层衬底布线特征衬底主体连续柱穿过配置

[发明专利]双重图案化光刻技术-CN201180076082.2有效
发明人： C·H·华莱士;S·希瓦库马;M·L·廷吉;C·D·穆纳辛哈;N·M·拉哈尔-乌拉比 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了用于在图案层之间使用阻挡层的光刻特征的双重图案化的技术。在一些情况下，例如该技术可以以一维或二维光刻特征的双重图案化来实施。在一些实施例中，在其上涂覆第二光致抗蚀剂图案之前，沉积阻挡层以保护第一光致抗蚀剂，和/或调整(例如缩小)借助光刻工艺要在衬底或其他适合的表面中形成的沟槽、孔或其他可蚀刻的几何特征的一个或多个关键尺寸。在一些实施例中，可以实施该技术以生成/印刷小特征(例如小于或等于约100nm)，包括不同复杂度的一维和二维特征/结构。
双重图案光刻技术