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[发明专利]量测方法、目标和衬底-CN201680081072.0有效
发明人： M·J·J·加克;A·J·登博夫;M·艾伯特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种方法，包括：利用具有第一偏振的第一辐射束(940)照射量测目标(T)的至少第一周期结构(1010)，利用具有不同的第二偏振的第二辐射束(950)照射量测目标(T)的至少第二周期结构(1000)，将从第一周期结构(1010)衍射的辐射与从第二周期结构(1000)衍射的辐射进行组合以引起干涉，以及根据检测的组合辐射确定感兴趣的参数。
方法目标衬底

[发明专利]度量方法、目标和衬底-CN202010264539.3在审
发明人： K·布哈塔查里亚;H·W·M·范布尔;C·D·富凯;H·J·H·斯米尔德;M·范德沙;A·J·登博夫;R·J·F·范哈伦;柳星兰;J·M·M·贝尔特曼;A·富克斯;O·A·O·亚达姆;M·库比斯;M·J·J·加克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
度量方法目标衬底

[发明专利]度量方法、目标和衬底-CN201580056531.5有效
发明人： K·布哈塔查里亚;H·W·M·范布尔;C·D·富凯;H·J·H·斯米尔德;M·范德沙;A·J·登博夫;R·J·F·范哈伦;柳星兰;J·M·M·贝尔特曼;A·富克斯;O·A·O·亚达姆;M·库比斯;M·J·J·加克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
度量方法目标衬底

[发明专利]用于光刻度量的方法、设备和衬底-CN201480072870.8有效
发明人： H·J·H·斯米尔德;A·J·登博夫;O·A·O·亚达姆;M·J·J·加克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种衬底具有通过光刻工艺形成在其上的三个或更多叠置光栅。每个叠置光栅具有已知的叠置偏置。叠置偏置的值包括例如在居中于零点上区域中的两个值，以及居中在P/2上区域中的两个值，其中P是光栅的节距。使用不同的叠置偏置值的认知以及在叠置和目标非对称性之间的假设非线性相互关系从对于光栅的非对称性测量而计算叠置，由此校正特征非对称性。在零偏置和P/2区域中周期性关系具有相反符号的梯度。计算允许所述梯度具有不同的幅度以及相反的符号。计算也提供关于特征非对称性和其他处理效果的信息。该信息用于改进测量方法和/或光刻方法的后续性能。
用于光刻度量方法设备衬底

[发明专利]测量目标结构的属性的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法-CN201580058279.1有效
发明人： M·博兹库尔特;M·J·J·加克;P·A·J·廷尼曼斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：基于目标的图像的强度测量目标结构的属性。方法包括(a)获得目标结构的图像；(b)限定(1204)多个候选感兴趣区域，各候选感兴趣区域包括在图像中的多个像素；(c)至少部分基于在感兴趣区域内的像素的信号值来限定(1208，1216)用于候选感兴趣区域的优化度量值；(d)限定(1208，1216)目标信号函数，目标信号函数限定了图像中的各像素对目标信号值的贡献。各像素的贡献取决于(i)哪个候选感兴趣区域包含该像素和(ii)那些候选感兴趣区域的优化度量值。
测量目标结构属性方法检查设备光刻系统器件制造