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[发明专利]具有高透光率的导电制品-CN201280062708.9有效
发明人： R·迪维加尔皮蒂雅;M·J·佩勒莱特;J·P·贝佐尔德;G·A·科尔巴;M·H·马祖雷克 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电制品，其包括透明基底、薄导电栅格和碳纳米层。所述栅格设置在所述基底上，并且所述碳纳米层也设置在所述基底上并且与所述栅格接触。所述导电栅格和所述碳纳米层可分别具有不超过1微米和50纳米的厚度。所述碳纳米层具有包括嵌入在纳米晶碳中的石墨小片的形态，并且能够通过使用干燥碳粒且不显著损害所述栅格结构的抛光工序来制备。所述制品可具有至少80％的可见光透射率和小于500或100欧姆/平方的薄层电阻。所述透明基底可包括柔性聚合物膜。本发明所公开的制品可在经受挠曲时基本上保持初始薄层电阻值。
具有透光率导电制品

[发明专利]对硅制品的氟化学处理-CN03816405.1有效
发明人： T·D·邓巴;L·A·扎泽拉;M·J·佩勒莱特;L·D·宝德曼;G·G·I·摩尔;M·A·古拉;C·L·S·艾尔斯伯恩德 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2003-04-01 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：用具有下述化学式的氟代烯烃对含Si－H键的硅基材进行化学改性，化学式中m是大于或等于1的整数；n是大于或等于0的整数；Z是二价连接基团；R_f是高度氟化的有机基团。
制品氟化处理

[发明专利]用于有机薄膜晶体管的表面改性层-CN02817538.7无效
发明人： T·W·凯利;D·V·穆耶里斯;M·J·佩勒莱特;T·D·邓巴;L·D·保德曼;T·P·史密斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2002-08-26 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：提供一种有机薄膜晶体管，它包括插入门介电层和有机半导体层之间的自组装单层。所述单层是所述门介电层与自组装单层前体反应形成的产物。所述单层前体组合物的通式为X－Y－Z_n，其中，X是H或CH₃，Y是直链或支链C₅－C₅₀脂族或脂环族连接基、或者是包含芳基和C₃－C₄₄脂族或脂环族连接基的C₈－C₅₀基团；Z选自－PO₃H₂、－OPO₃H₂、苯并三唑基(－C₆H₄N₃)、羰氧基苯并三唑(－OC(＝O)C₆H₄N₃)、氧苯并三唑(－O－C₆H₄N₃)、氨基苯并三唑(－NH－C₆H₄N₃)、－CONHOH、－COOH、－OH、－SH、－COSH、－COSeH、－C₅H₄N、－SeH、－SO₃H、－NC、－SiCl(CH₃)₂、－SiCl₂CH₃、氨基、氧膦基；n是1、2或3，其前提是当Z是－SiCl(CH₃)₂或－SiCl₂CH₃时，n＝1。还提供制造薄膜晶体管和包含薄膜晶体管的集成电路的方法。
用于有机薄膜晶体管表面改性