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[发明专利]传输光纤组件和宽带光源-CN202210966063.7在审
发明人： J·韦里奇;M·D·马克 -专利权人： NKT光子学有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了传输光纤组件和宽带光源。本发明包括一种传输光纤组件，其适于传输宽带光并包括传输光纤和连接器构件。传输光纤具有一定长度、用于发射光的输入端和用于传输光的传输端。传输光纤沿其长度包括纤芯区和围绕纤芯区的包层区，其中包层区包括具有折射率Nbg的背景材料和以实心材料内含物形式的多个微结构，所述内含物具有不超过Ninc的折射率并且在传输光纤的纵轴长度上延伸，其中NincNbg。包层区中的多个内含物在横截面模式上布置以包括围绕纤芯区的至少两圈内含物。连接器构件在包括传输端的传输光纤的传输端部分处安装至传输光纤。传输光纤具有约200nm或更大的传输带宽。
传输光纤组件宽带光源

[发明专利]光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源-CN202210516366.9在审
发明人： T·T·奥克塞卓德;C·L·拜格;C·雅各布森;J·K·朗格塞;K·G·叶斯帕森;J·约翰森;M·D·马克;M·E·V·佩德森;C·L·汤姆森 -专利权人： NKT光子学有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中，PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中，所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘，其中Th为至少约50℃，优选地，50℃Th250℃。
光子晶体光纤制备方法以及连续谱光源

[发明专利]光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源-CN202210516426.7在审
发明人： T·T·奥克塞卓德;C·L·拜格;C·雅各布森;J·K·朗格塞;K·G·叶斯帕森;J·约翰森;M·D·马克;M·E·V·佩德森;C·L·汤姆森 -专利权人： NKT光子学有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中，PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中，所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘，其中Th为至少约50℃，优选地，50℃Th250℃。
光子晶体光纤制备方法以及连续谱光源

[发明专利]光子晶体光纤组件-CN201680075502.8有效
发明人： T·T·奥克塞卓德;J·K·朗格塞;C·雅各布森;M·D·马克;M·米基耶莱托;S·R·帕皮尔 -专利权人： NKT光子学有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：本发明包括光子晶体光纤(PCF)组件，其包括PCF和至少一个套圈结构。PCF具有中心轴线并且包括纤芯区域和包层区域以及具有第一光纤端部的第一光纤端部段。套圈结构具有中心轴线并安装到第一光纤端部段。套圈结构包括围绕第一光纤端部段的内套圈布置和外套圈布置。内套圈布置包括在第一光纤端部近侧的内套圈前段和在第一光纤端部的远侧的内套圈后段，并且内套圈段中的每一个具有内径并且在其至少一段长度上完全围绕PCF。内套圈后段在锚固长度段上锚固至第一光纤端部段，并且内套圈前段支撑在第一光纤端部近侧的第一光纤端部段。
光子晶体光纤组件

[发明专利]传输光纤组件和宽带光源-CN202010170503.9在审
发明人： J·韦里奇;M·D·马克 -专利权人： NKT光子学有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了传输光纤组件和宽带光源。本发明包括一种传输光纤组件，其适于传输宽带光并包括传输光纤和连接器构件。传输光纤具有一定长度、用于发射光的输入端和用于传输光的传输端。传输光纤沿其长度包括纤芯区和围绕纤芯区的包层区，其中包层区包括具有折射率Nbg的背景材料和以实心材料内含物形式的多个微结构，所述内含物具有不超过Ninc的折射率并且在传输光纤的纵轴长度上延伸，其中NincNbg。包层区中的多个内含物在横截面模式上布置以包括围绕纤芯区的至少两圈内含物。连接器构件在包括传输端的传输光纤的传输端部分处安装至传输光纤。传输光纤具有约200nm或更大的传输带宽。
传输光纤组件宽带光源

[发明专利]传输光纤组件和宽带光源-CN201680037135.2在审
发明人： J·韦里奇;M·D·马克 -专利权人： NKT光子学有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G02B6/032 文献下载
摘要：本发明包括一种传输光纤组件，其适于传输宽带光并包括传输光纤和连接器构件。传输光纤具有一定长度、用于发射光的输入端和用于传输光的传输端。传输光纤沿其长度包括纤芯区和围绕纤芯区的包层区，其中包层区包括具有折射率Nbg的背景材料和以实心材料内含物形式的多个微结构，所述内含物具有不超过Ninc的折射率并且在传输光纤的纵轴长度上延伸，其中Ninc<Nbg。包层区中的多个内含物在横截面模式上布置以包括围绕纤芯区的至少两圈内含物。连接器构件在包括传输端的传输光纤的传输端部分处安装至传输光纤。传输光纤具有约200nm或更大的传输带宽。
传输光纤组件宽带光源

[发明专利]光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源-CN201580075601.1在审
发明人： T·T·奥克塞卓德;C·L·拜格;C·雅各布森;J·K·朗格塞;K·G·叶斯帕森;J·约翰森;M·D·马克;M·E·V·佩德森;C·L·汤姆森 -专利权人： NKT光子学有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中，PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中，所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘，其中Th为至少约50℃，优选地，50℃<Th<250℃。
光子晶体光纤制备方法以及连续谱光源

[发明专利]涉及光子晶体光纤的熔接与连接的改进-CN201080045782.0有效
发明人： M·D·马克 -专利权人： NKT光子学有限公司
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G02B6/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种光纤，至少包括具有第一端面的第一端，该光纤包括能够引导第一波长λ的光的纤芯区；和包围所述纤芯区的微结构包层区。包层区包括内包层区和外包层区。内包层区包括布置在折射率为n1的内包层背景材料中的内包层部件，所述内包层部件包括可热塌陷的孔或空隙。外包层区包括布置在外包层背景材料中的外包层部件，所述外包层部件包括折射率为n2的实心材料，其中n2低于n1。本发明进一步涉及将这种光纤熔接至光学器件的方法和使用这种光纤的方法。
涉及光子晶体光纤熔接连接改进

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