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[发明专利]用于超高磁场MR的短元件TEM线圈-CN200580015183.3有效
发明人： M·A·莫里奇;G·D·德米斯特;Z·斋;P·R·哈维伊 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G01R33/34 文献下载
摘要：提供了一种横向电磁(TEM)线圈。该TEM线圈包括导电外壳和设置在该外壳的第一端部处的端板。该TEM线圈还包括设置在外壳内的多个TEM元件，该多个TEM元件比该外壳短。
用于超高磁场 mr 元件 tem 线圈

[发明专利]用于超高场(SHF)MRI的RF线圈系统-CN200480033940.5有效
发明人： C·G·罗伊斯勒;C·芬德克李;M·A·莫里奇;Z·斋;G·D·德米斯特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-11-03 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G01R33/422 文献下载
摘要：用于磁共振成像的射频线圈系统(38)，包括多个平行隔开的横档(60)，每个横档包括横档电容器(68)。端盖(64)被放置在线圈系统(38)的闭合末端66。RF场(62)连接到端盖(64)上并且包围上述横档(60)，在与横档(60)基本平行的方向上伸展。RF线圈系统(38)可以用作鸟笼型、TEM、混合型、鸟笼型和TEM的组合型等。
用于超高 shf mri rf 线圈系统

[发明专利]磁共振成像中的B1场控制-CN200480032215.6有效
发明人： M·A·莫里奇;G·D·德梅斯特;Z·翟 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-10-07 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： G01R33/32 文献下载
摘要：使用设置成在感兴趣区域中产生B₁磁场的射频线圈(40)执行成像对象(16)的感兴趣区域的多切片磁共振成像。一个或多个处理器(44，82，88，110)为每个切片确定B₁场值，其代表在所述切片的选定区域上的B₁场，从而解决了对象对BI场的影响，并且为每个切片确定被调节的每切片射频激发，其将所述切片的B₁场值调节到选定值。磁共振成像系统(10，44，46，50，52)使用每个切片的被调节的每切片射频激发采集该切片的磁共振成像数据。重建处理器(58)将被采集的磁共振成像数据重建为重建图像表示。
磁共振成像中的 b1 控制

[发明专利]用于磁共振成像的自屏蔽梯度场线圈-CN200380103637.3无效
发明人： S·M·什瓦特斯曼;M·A·莫里奇;G·D·德梅斯特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： G01R33/421 文献下载
摘要：用于磁共振成像装置(10)的梯度线圈包括定义内圆柱面(60)的初级线圈(16)，和定义同轴的外圆柱面(62)的一个屏蔽线圈(18)或多个线圈。线圈跳变(74)连接初级和屏蔽线圈(16、18)。线圈跳变(74)定义非平面的电流共享表面(64)，该电流共享表面在分别与内圆柱面(60)和外圆柱面(62)一致的内、外轮廓(66、68)之间延伸。线圈(16、18、74)定义多次穿过位于内、外轮廓(66、68)之间的电流共享表面(64)的电流路径。任选地，电互连一些初级线圈匝(70)以定义隔离的初级子线圈(P2)，该初级子线圈和第二屏蔽(S2、S2′、S2”)共同允许离散地或连续地可选择的视场。
用于磁共振成像屏蔽梯度线圈