专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]非易失性无源矩阵及其读出方法-CN01817870.7无效
  • M·汤普逊;R·沃马克;G·古斯塔夫松;J·卡尔松 - 薄膜电子有限公司
  • 2001-08-24 - 2004-01-28 - G11C11/22
  • 在一种包括展示出磁滞现象的电子可极化介电存储材料(12)的非易失性无源矩阵存储器件(10)中,第一组和第二组(14;15)寻址电极构成存储器件的字线(WL)和位线(BL)。存储单元(13)被限定在字线(WL)和位线(BL)之间的重叠处的存储材料(12)中。字线(WL)被分成多段(S),每段共享邻接位线(BL)并由其限定。提供装置(25)来用于将一个段(S)的每个位线(BL)与一个读出装置(26)相连,从而允许经由段(S)的位线(BL)为读出而同时连接一个字线段(15)的所有存储单元(13)。每个读出装置(26)读出位线(BL)中的电流,以便确定所存储的逻辑值。在一种读出方法中,通过在一个读周期的至少一个部分期间将其电位设置到存储单元(13)的一个转换电压Vs来激活段(S)的一个字线(WL),同时将段(S)的位线(BL)保持在零电位,在该读周期期间由读出装置(26)读出存储在单个存储单元(13)中的逻辑值。在大容量数据存储装置中的使用。
  • 非易失性无源矩阵及其读出方法

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