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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]电子器件-CN202222306165.4有效
发明人： O·奥里;M·德克鲁兹 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子器件，其特征在于，包括：第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一树脂，在所述第一侧处，所述第一树脂包括侧翼；第二树脂，在所述第二侧处；集成电路，包封在所述第一树脂和所述第二树脂内；以及金属接触件，在所述第二侧处，所述金属接触件包括从所述第一树脂的所述侧翼突出的托架部分。利用本公开的实施例有利地允许将电子芯片容易地安装在印刷电路板上。
电子器件

[发明专利]制造电子芯片的方法-CN202211049135.8在审
发明人： O·奥里;M·德克鲁兹 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于制造电子芯片的方法，该方法按顺序包括：a.在半导体衬底的第一面的一侧上形成金属接触件，在所述半导体衬底中和其上已经预先形成多个集成电路；b.在所述金属接触件和所述半导体衬底的所述第一面上沉积第一保护树脂；c.在所述半导体衬底的第二面侧形成第一宽度的第一沟槽；d.在所述第一沟槽中和所述半导体衬底的所述第二面上沉积第二保护树脂；e.形成第二宽度的第二沟槽，所述第二宽度小于所述第一宽度，与所述第一沟槽相对直到所述金属接触件；以及f.形成与所述第二沟槽相对的第三沟槽，所述第三沟槽延伸穿过所述金属接触件。
制造电子芯片方法

[实用新型]半导体器件-CN202221194495.2有效
发明人： O·奥里;M·德克鲁兹 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子芯片的制造。一种半导体器件，包括：衬底，包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及横向于第一表面和第二表面的侧壁；互连层，在衬底的第一表面上，互连层包括导电焊盘；绝缘层，在衬底的侧壁的第一部分上并且覆盖第一部分；导电层，被耦合到在衬底的第一表面处的导电焊盘，导电层在绝缘层上并且覆盖绝缘层，并且导电层通过绝缘层与衬底的侧壁分隔；以及第一树脂层，从衬底的第二表面延伸到绝缘层，并且第一树脂层在衬底的侧壁的第二部分上并且覆盖第二部分；第二树脂层，在衬底的第二表面上并且在第一树脂层上。利用本公开的实施例有利地减少可湿性侧面芯片的厚度，并因此减少印刷电路板的厚度。
半导体器件

[发明专利]电子芯片的制造-CN202210541214.4在审
发明人： O·奥里;M·德克鲁兹 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子芯片的制造。本公开涉及一种电子芯片，所述电子芯片包括携带有至少一个金属接触件的半导体衬底，所述金属接触件在所述衬底的厚度内沿着所述芯片的至少一个侧表面延伸。
电子芯片制造

[发明专利]用于制造电子芯片的方法-CN202011412573.7在审
发明人： M·德克鲁兹;O·奥里 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及用于制造电子芯片的方法。一种用于制造电子芯片的方法包括：在半导体基底的第一面侧上形成金属化部，这些金属化部将相邻集成电路的接触部彼此耦接，在该半导体基底中和在该半导体基底上已经预先形成了多个集成电路。该方法还包括：在基底的第一面侧上形成第一沟槽，这些第一沟槽延伸穿过基底的第一面并且在横向上将相邻的集成电路分隔开。第一沟槽延伸穿过金属化部，以在相邻电路中的每个电路处形成金属化部的至少部分。
用于制造电子芯片方法

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共 5 条

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